Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST75N65HSM оригінал (заміна для OST75N65HM , OST75N65HSX , OST75N65HN , OST75N65HMF ) , TO247
320,54 ₴
27 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
27 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OST75N65HSM – N-канальний IGBT Oriental Semiconductor у корпусі TO-247 зі швидким діодом, для індукційних перетворювачів і ДБЖ. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic | 90 А при Tc 25 °C, 75 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 300 А при Tc 25 °C |
| Vce(sat) | 1.4 В (тип.), 1.8 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 75 А |
| Заряд затвора Qg | 201 нКл при Vge 15 В, Vcc 520 В, Ic 75 А |
| Вхідна ємність Cies | 8165 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd | 405 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який антипаралельний |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
OST75N65HSM – N-канальний IGBT Oriental Semiconductor у корпусі TO-247 (технологія Trident-Gate Bipolar Transistor). Цифри нижче – за даташитом OST75N65HSMF-E, у якому те саме маркування OST75N65HSM. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 90 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C, імпульсний – 300 А при Tc 25 °C. Vce(sat) – 1.4 В типово і 1.8 В максимум при Vge 15 В та Ic 75 А. Потужність розсіювання – 405 Вт при Tc 25 °C (203 Вт при Tc 100 °C), максимальна температура переходу – 175 °C. Заряд затвора Qg – 201 нКл при Vge 15 В, Vcc 520 В, Ic 75 А. Вхідна ємність Cies типово 8165 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц).
Вбудований швидкий м'який антипаралельний діод: Vf 1.55 В при If 75 А, trr 170 нс при Vr 400 В, If 75 А, di/dt 500 А/мкс. Оригінал, не демонтаж. OST75N65HSM може замінити OST75N65HM, OST75N65HSX, OST75N65HN та OST75N65HMF; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційні перетворювачі
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Перетворювачі середніх і високих частот
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×75=60, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.4=1.82, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Qg у YGW75N65HP менший (145 нКл проти 201 нКл) | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити OST75N65HSM?
У нас є YGW75N65HP у корпусі TO-247 (Vces 650 В, Ic 75 А при Tc 100 °C, діод є). Qg у нього менший, перевірте за даташитом режим затвора.
Які деталі може замінити OST75N65HSM?
За назвою товару – OST75N65HM, OST75N65HSX, OST75N65HN, OST75N65HMF. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи має транзистор вбудований діод?
Так, швидкий м'який антипаралельний діод: If 90 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: OST75N65HSMF-E (Oriental Semiconductor).
Назва товару збігається з маркуванням у документі на OST75N65HSMF-E; псевдоніми з назви документ не розглядає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор OST60N65HSX ( OST60N65HSXF ) оригінал (заміна для OST60N65HX ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | OST60N65HSX |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.5 В тип. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 366 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5607 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий і м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.