Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS26N50FV оригінал, TO-3P
345,92 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS26N50FV – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) на 500 В у корпусі TO-3P. Оригінал. Параметри – за даташитом 26N50.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Опір каналу Rds(on) | 0,24 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Потужність Pd | 290 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
CS26N50FV – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-3P. Точного даташиту на CS26N50FV не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі 26N50 (UTC): напруга стік–витік Vdss 500 В, напруга затвор–витік ±30 В. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 0,24 Ом (VGS = 10 В, ID = 13 А), порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В. Заряд затвора Qg 90 нКл (тип.), вхідна ємність Ciss 3500 пФ (тип.). Потужність розсіювання Pd 290 Вт (Tc = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,43 °C/Вт, температура переходу до +150 °C. Струм стоку не наводимо: у документі він вказаний неоднозначно.
За даташитом 26N50 такі транзистори ставлять в імпульсні блоки живлення, коректори коефіцієнта потужності та електронні баласти ламп. Деталь оригінальна, не демонтаж. Заміну підбирайте за типом каналу (N) і корпусом TO-3P: напруга не нижче 500 В, опір каналу не більший. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- імпульсні блоки живлення
- коректори коефіцієнта потужності
- електронні баласти ламп
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити CS26N50FV?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з напругою стік–витік не нижче 500 В і опором відкритого каналу не більше 0,24 Ом. Параметри CS26N50FV наведено за даташитом 26N50, тому перед заміною звірте їх із документацією на ваш пристрій.
Яка розпіновка у CS26N50FV?
За даташитом 26N50 у корпусі TO-3P: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Перед монтажем звірте з платою.
Звідки параметри CS26N50FV?
Точного даташиту на CS26N50FV не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – 26N50 (UTC). Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: 26N50 (UTC).
Точного даташиту на CS26N50FV не знайдено. Найближчий схожий даташит – 26N50 (UTC).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор AP220N06MP оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Enhancement Mode, APM-SGT |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 220 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 136 А |
| Опір Rds(on) | 3,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А; typ 2,4 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 93 нКл typ. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5950 пФ (Vds 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 168 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.