Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT075N065WED ( 075N065WED ) оригінал, TO247
235,00 ₴
89 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
89 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JT075N065WED (075N065WED) – IGBT-транзистор виробництва Jilin Sino-Microelectronics на 650 В у корпусі TO-247 з вбудованим діодом. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено Tjmax) | 150 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм Icm | 300 А |
| Vce(sat) (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.7 В |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 250 мкА) | 4.5–6.5 В |
| Qg (typ, Vcc 520 В, Ic 75 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 170 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5012 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
JT075N065WED (075N065WED) – IGBT-транзистор Trench Field Stop виробництва Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 150 А при Tc 25 °C (обмежено Tjmax) і 75 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 300 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C; макс. 2.4 В). Порогова напруга Vge(th) – 4.5–6.5 В при Vce = Vge, Ic 250 мкА. Заряд затвора Qg – 170 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 75 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 5012 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Усередині є діод: Vf 2.2 В (typ, Vge 0 В, Is 75 А), trr 24.5 нс (typ, Vr 200 В, If 75 А, dIf/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C).
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність діода, корпус і розпіновку. Якщо заряд затвора Qg у іншої деталі відрізняється, перевірте драйвер. Відправка – Новою Поштою з Запоріжжя, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Інвертори загального призначення
- UPS
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×75 = 60, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.7 = 2.21, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте Qg і драйвер затвора за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JT075N065WED?
Із нашого каталогу за правилами підбору підходить YGW75N65HP: Vces 650 В, Ic при Tc 100 °C 75 А, Vce(sat) 1.65 В, діод є, корпус TO-247. Перед заміною порівняйте Qg і драйвер затвора за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує JT075N065WED?
Ic 150 А при Tc 25 °C (обмежено Tjmax) і 75 А при Tc 100 °C. Робочий струм обирайте за значенням при Tc 100 °C.
Чи є в JT075N065WED вбудований діод?
Так. Діод розрахований на If 150 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C; Vf 2.2 В (typ, Vge 0 В, Is 75 А).
Документація виробника: JT075N065WED (Jilin Sino).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор NCEP02T10T оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 70.7 А |
| Опір Rds(on) | 12 мОм макс. (тип. 9.5 мОм; VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6000 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Час відновлення діода trr | 140 нс (тип.; IF=50 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP15T14 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип | MOSFET, N-канал, Super Trench |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 150 В (VGS=0 В, ID=250 µA, TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 140 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 100 А |
| Rds(on) | 5.6 мОм тип., 6.2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=70 А) |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл (VDS=75 В, ID=70 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5900 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 320 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.