Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор STW40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247

258,50 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

STW40N60M2 (40N60M2) – N-канальний MOSFET STMicroelectronics на 600 В, 34 А при Tc 25 °C, у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал (MDmesh M2)
Напруга Vds600 В (Id 1 мА, Vgs 0 В)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)34 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)22 А
Rds(on)78 мОм тип., 88 мОм макс., Vgs 10 В, Id 17 А
Заряд затвора Qg57 нКл
Вхідна ємність Ciss2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В)
Потужність Pd (Tc 25 °C)250 Вт
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

STW40N60M2 (40N60M2) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) серії MDmesh M2 виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-247. Напруга стік–витік Vds – 600 В (V(BR)DSS, Id 1 мА, Vgs 0 В). Струм стоку Id – 34 А при Tc 25 °C і 22 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 78 мОм, максимум 88 мОм при Vgs 10 В, Id 17 А. Заряд затвора Qg – 57 нКл (Vdd 480 В, Id 34 А, Vgs 0–10 В). Вхідна ємність Ciss типово 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В (типово 3 В), потужність розсіювання 250 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C. Вбудований діод: trr 440 нс, Vsd макс. 1,6 В при Isd 34 А.

Стан – оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівняйте канал (N), Vds не нижче 600 В, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус із розпіновкою. У документі виробника названо також STB40N60M2 і STP40N60M2.

Де застосовують

  • Імпульсні (перемикальні) застосування
  • 100% перевірено на лавинний пробій
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
60R060P7 канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×34=27.2, Rds(on) Vgs 10 В max 60 ≤ 1.3×88=114 мОм, корпус TO-247 = TO-247 Демонтаж; Qg 67 нКл проти 57 нКл, перевірте драйвер затвора Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити STW40N60M2?

У каталозі є 60R060P7 (IPW60R060P7) у TO-247: Vds 600 В, Id 48 А при 25 °C, Rds(on) макс. 60 мОм. Заряд затвора Qg вищий, тож перевірте драйвер затвора і порівняйте даташити.

Як перевірити польовий транзистор мультиметром?

У режимі перевірки діодів прозвоніть вбудований діод між стоком і витоком: він веде себе як діод в один бік. Затвор має бути ізольований від інших виводів.

Що відомо про вбудований діод STW40N60M2?

Час зворотного відновлення trr – 440 нс, пряма напруга Vsd макс. 1,6 В при Isd 34 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В.

Datasheet

Документація виробника: DS9801 Rev 5.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.