Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N12S оригінал, D2PAK
216,20 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
S60N12S – N-канальний польовий транзистор 60 В у корпусі D2PAK (TO-263), оригінал. Для DC-двигунів, DC-DC перетворювачів і BMS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 76 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 4.5 мОм типово (Vgs 10 В, Id 40 А; мін. 3.6, макс. 5.4 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.6 В (типово 3 В, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 162 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В макс. |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
S60N12S – N-канальний MOSFET виробництва SI-TECH у корпусі D2PAK (TO-263); літера S в номері – код корпусу. Напруга Vds – 60 В (Tc 25 °C). Струм стоку Id – 120 А при Tc 25 °C і 76 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 4.5 мОм при Vgs 10 В і Id 40 А (мінімум 3.6, максимум 5.4 мОм). Заряд затвора Qg типово 86 нКл (Vdd 40 В, Vgs 10 В, Id 40 А), порогова напруга Vgs(th) 2.4–3.6 В, типово 3 В (Id 250 мкА). Вхідна ємність Ciss типово 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 162 Вт при Tc 25 °C, діапазон температур переходу -55…+150 °C, напруга затвор-витік до ±25 В.
Товар – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, звіряйте канал (N), напругу Vds, струм Id, Rds(on) при Vgs 10 В і заряд затвора Qg. Корпус D2PAK (TO-263) для поверхневого монтажу має збігатися. Відправка: Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування DC-двигунами
- DC-DC перетворювачі
- Системи керування батареями (BMS)
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
- Автомобільна електроніка
Чим замінити S60N12S?
Підходящих за нашими правилами аналогів у каталозі в цьому корпусі зараз немає. Шукайте N-канальний MOSFET у D2PAK і порівнюйте параметри з даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що означає літера S в S60N12S?
Це код корпусу TO-263 (D2PAK). У документі серія S60N12R/S/RN/RP, де літера в кінці номера позначає корпус.
Чи підходить для BMS та керування двигунами?
Так, у документі як застосування вказано керування DC-двигунами, BMS, DC-DC перетворювачі, SMPS і автомобільну електроніку.
Документація виробника: S60N12S (SI-TECH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.