Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор HY3810P ( HY3810 ) оригінал (100V,180A), TO220

51,70 ₴

23 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

23 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HY3810P (HY3810) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) HUAYI на 100 В і 180 А у корпусі TO-220. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds100 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА)
Струм Id180 А (TC = 25 °C); 132 А (TC = 100 °C)
Опір Rds(on)5,0 мОм тип., 6,5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 90 А)
Qg185 нКл (VDS = 80 В, VGS = 10 В, IDS = 90 А)
Вхідна ємність Ciss7889 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Потужність Pd346 Вт (TC = 25 °C)
Температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220FB-3L
ВиробникHUAYI
СтанОригінал
Опис

HY3810P (HY3810) – N-канальний польовий транзистор виробництва HUAYI у корпусі TO-220 (TO-220FB-3L). Напруга Vds – 100 В (при VGS = 0 В, IDS = 250 мкА). Струм стоку Id – 180 А при TC = 25 °C і 132 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on): 5,0 мОм типово і 6,5 мОм максимум при VGS = 10 В, IDS = 90 А. Заряд затвора Qg – 185 нКл (VDS = 80 В, VGS = 10 В, IDS = 90 А). Вхідна ємність Ciss типово 7889 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА). Pd – 346 Вт при TC = 25 °C, Tj до 175 °C. Вбудований діод: Vsd макс. 1 В при ISD = 90 А, VGS = 0 В.

Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на той самий канал і корпус, Vds не нижче 100 В, Id при TC = 100 °C не менше за потрібний у вашій схемі, а Rds(on) і заряд затвора Qg – порівнянні, інакше може знадобитися інший драйвер. Порівнюйте параметри за datasheet з однаковими умовами вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутаційні застосування
  • керування живленням в інверторних системах
Часто питають
Чим замінити HY3810P?

Дивіться на N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 100 В і Id не меншим за 132 А при TC = 100 °C. Порівнюйте Rds(on) і Qg за datasheet за однакових умов.

Це HY3810P чи HY3810?

Це одна позиція: HY3810P (HY3810), N-канальний MOSFET у корпусі TO-220.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який заряд затвора у HY3810P?

Qg – 185 нКл при VDS = 80 В, VGS = 10 В, IDS = 90 А. Для керування потрібен драйвер, який дає такий заряд на потрібній частоті.

Datasheet

Документація виробника: HY3810P (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HY3810P (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.