Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T60AN3S ( CRG40T60AN3S ) оригінал, TO3P
250,04 ₴
49 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
49 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G40T60AN3S (CRG40T60AN3S) – IGBT-транзистор CRMICRO з вбудованим діодом у корпусі TO-3PN (у назві товару TO3P). Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з діодом (Field Stop) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| VCE(sat) тип. | 1,8 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2758 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 280 Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
G40T60AN3S (CRG40T60AN3S) – n-канальний IGBT-транзистор CRMICRO з вбудованим діодом, виконаний за технологією Field Stop. Корпус за даташитом – TO-3PN (у назві товару TO3P). Напруга колектор–емітер Vces 650 В (при VGE = 0 В, IC = 250 мкА), струм колектора Ic 80 А при 25 °C і 40 А при 100 °C. Напруга насичення VCE(sat) типово 1,8 В (макс. 2,3 В) при IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C. Заряд затвора Qg типово 165 нКл (VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В). Вхідна ємність Cies типово 2758 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd 280 Вт при TC = 25 °C і 110 Вт при TC = 100 °C. Діод: пряма напруга VF типово 1,5 В при IF = 20 А, час відновлення trr типово 52 нс.
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, напругу насичення, заряд затвора і наявність вбудованого діода. Корпус має відповідати TO-3PN: звіряйте розміри й розпіновку з вашою платою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Чим замінити G40T60AN3S?
Шукайте IGBT з вбудованим діодом у корпусі TO-3PN: Vces не нижче 650 В, Ic при 100 °C не менше 40 А (допустимо трохи нижче), порівнянна напруга насичення. Якщо заряд затвора суттєво більший за 165 нКл, перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який корпус у G40T60AN3S: TO3P чи TO-3PN?
У назві товару вказано TO3P, а в даташиті маркування G40T60AN3S подано в корпусі TO-3PN. Звіряйте посадкові розміри й виводи з вашою платою.
Яка напруга насичення у G40T60AN3S?
Типово 1,8 В, макс. 2,3 В при IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C.
Документація виробника: CRG40T60AN3S (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема EG2103 оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер півмоста (верхній і нижній ключі) для MOSFET і IGBT |
| Напруга VB (макс.) | 600 В |
| Напруга живлення VCC | 10–20 В |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Рівень логічних входів | 3,3 / 5 В |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Вихідний струм вгору IO+ | 0,3 А |
| Вихідний струм вниз IO− | 0,6 А (Vo = 12 В, VIN = VIL, імпульс 10 мкс) |
| Температура TA | -45…125 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | EG Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS150N04 ( CS150N04A8 , 150N04 , FP150N04S , HFP150N04S ) оригінал , TO220(40V,150A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 90 А |
| Імпульсний струм Idm (TC = 25 °C) | 600 А |
| Опір Rds(on) | 4 мОм (тип.), до 4,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 50 А |
| Vgs(th) | 2,0–3,5 В |
| Qg | 160 нКл (тип.) при VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8900 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт (тип.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.