Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал

Транзистор HUAYI HYG015N04 ( HYG015N04LS1C2 , G015N04 ) оригінал(40V/150A), PDFN5*6-8L

164,50 ₴

16 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

16 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG015N04 – N-канальний польовий транзистор HUAYI, 40 В, 150 А, у корпусі PDFN5*6-8L. Оригінал; є позначення HYG015N04LS1C2 та G015N04.

ПараметрЗначення
КорпусPDFN-8 (5×6)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникHUAYI
Напруга Vds40 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id150 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)106 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Idm600 А (Tc 25 °C)
Rds(on)1.4 мОм тип., макс. 1.7 мОм (VGS 10 В, Id 20 А)
Rds(on) при 4,5 В2.0 мОм тип., макс. 2.4 мОм (VGS 4,5 В, Id 20 А)
Vgs(th)1,2–2,5 (тип. 1,9) В (VDS=VGS, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg59 нКл тип. (VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss4050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Qg при 4,5 В27 нКл тип. (VGS 4,5 В)
Потужність Pd75 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
Вбудований діодє
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал
Опис

HYG015N04 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) HUAYI у корпусі PDFN5*6-8L, режим збагачення. Напруга Vds – 40 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 150 А при Tc 25 °C і 106 А при Tc 100 °C; імпульсний струм Idm – 600 А (Tc 25 °C). Опір відкритого каналу Rds(on) – 1.4 мОм (тип.) при VGS 10 В, Id 20 А, максимум – 1.7 мОм; при VGS 4,5 В – 2.0 мОм (тип.), максимум – 2.4 мОм. Заряд затвора Qg – 59 нКл (тип.) при VGS 10 В і 27 нКл при VGS 4,5 В. Вхідна ємність Ciss типово 4050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 75 Вт при Tc 25 °C. Є вбудований діод.

Стан товару – оригінал, не демонтаж. Деталь має ще позначення HYG015N04LS1C2 та G015N04. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і корпус PDFN5*6-8L, а також заряд затвора, якщо важливий драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутація
  • Керування живленням DC/DC
  • Захист акумуляторів
Часто питають
Чим замінити HYG015N04?

Прямих замін у нашому каталозі зараз немає. Підбирайте за datasheet: N-канал, Vds не нижче 40 В, струм, Rds(on) і той самий корпус PDFN5*6-8L.

Чим HYG015N04 відрізняється від HYG015N04LS1C2 та G015N04?

Це позначення тієї самої деталі: ці номери вказані в назві товару разом із основним.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи керується HYG015N04 логічним рівнем?

Rds(on) нормується і при VGS 4,5 В: 2.0 мОм (тип.), максимум 2.4 мОм при Id 20 А. Порогова напруга Vgs(th) – 1,2–2,5 (тип. 1,9) В при VDS=VGS, Id 250 мкА.

Datasheet

Документація виробника: HYG015N04LS1C2 (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG015N04LS1C2 (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.