Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG011N04 ( HYG011N04LS1C2 , G011N04 ) оригінал(40V/165A), PDFN5*6-8L
54,99 ₴
48 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
48 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG011N04 – N-канальний польовий транзистор HUAYI, 40 В, 165 А, у корпусі PDFN5*6-8L. Оригінал; є позначення HYG011N04LS1C2 та G011N04.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 116 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 660 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.1 мОм тип., макс. 1.4 мОм (VGS 10 В, Id 40 А) |
| Rds(on) при 4,5 В | 1.5 мОм тип., макс. 1.9 мОм (VGS 4,5 В, Id 40 А) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 (тип. 1,8) В (VDS=VGS, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 89 нКл тип. (VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5876 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Qg при 4,5 В | 41 нКл тип. (VGS 4,5 В) |
| Потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
HYG011N04 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) HUAYI у корпусі PDFN5*6-8L, режим збагачення. Напруга Vds – 40 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 165 А при Tc 25 °C і 116 А при Tc 100 °C; імпульсний струм Idm – 660 А (Tc 25 °C). Опір відкритого каналу Rds(on) – 1.1 мОм (тип.) при VGS 10 В, Id 40 А, максимум – 1.4 мОм; при VGS 4,5 В – 1.5 мОм (тип.), максимум – 1.9 мОм. Заряд затвора Qg – 89 нКл (тип.) при VGS 10 В і 41 нКл при VGS 4,5 В. Вхідна ємність Ciss типово 5876 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 75 Вт при Tc 25 °C. Є вбудований діод.
Стан товару – оригінал, не демонтаж. Деталь має ще позначення HYG011N04LS1C2 та G011N04. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і корпус PDFN5*6-8L, а також заряд затвора, якщо важливий драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутація
- Керування живленням DC/DC
- Захист акумуляторів
Чим замінити HYG011N04?
Прямих замін у нашому каталозі зараз немає. Підбирайте за datasheet: N-канал, Vds не нижче 40 В, струм, Rds(on) і той самий корпус PDFN5*6-8L.
Чим HYG011N04 відрізняється від HYG011N04LS1C2 та G011N04?
Це позначення тієї самої деталі: ці номери вказані в назві товару разом із основним.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи керується HYG011N04 логічним рівнем?
Rds(on) нормується і при VGS 4,5 В: 1.5 мОм (тип.), максимум 1.9 мОм при Id 40 А. Порогова напруга Vgs(th) – 1,0–3,0 (тип. 1,8) В при VDS=VGS, Id 250 мкА.
Документація виробника: HYG011N04LS1C2 (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.