Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BT15N120 оригінал, TO3P
282,00 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор BT15N120 у корпусі TO-3P з вбудованим діодом, для силових ключів індукційних плит. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 15 А (Tc 100 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,3 В (Ic 15 мА, Vce = Vge, типове) |
| Заряд затвора Qg | 127 нКл (Vce 600 В, Ic 15 А, Vge 15 В, типове) |
| Вбудований діод | так |
| Пряма напруга діода Vf | 1,2 В (If 15 А, Tc 25 °C, типове) |
| Час відновлення діода trr | 326 нс (If 15 А, di/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C, типове) |
| Потужність розсіювання Pd | 186 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
BT15N120 – IGBT-транзистор Huajing Microelectronics у корпусі TO-3P з вбудованим діодом. Параметри наведено за даташитом найближчої деталі BT15N120ANF (Huajing Microelectronics). Напруга колектор–емітер Vces 1200 В. Струм колектора Ic 15 А при Tc 100 °C. Заряд затвора Qg типово 127 нКл (Vce 600 В, Ic 15 А, Vge 15 В). Пряма напруга вбудованого діода Vf типово 1,2 В (If 15 А, Tc 25 °C), час зворотного відновлення trr типово 326 нс (If 15 А, di/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C). Потужність розсіювання Pd 186 Вт при Tc 25 °C (74 Вт при Tc 100 °C), діапазон температури переходу Tj від –55 до 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівняйте Vces, Ic при Tc 100 °C, наявність вбудованого діода й корпус TO-3P. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові ключі індукційних плит (induction cooker)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити BT15N120?
Підбирайте за datasheet: Vces не нижче 1200 В, Ic при Tc 100 °C не нижче 15 А, вбудований діод, корпус TO-3P. Взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Чи підходить для індукційної плити?
Деталь призначена для силових ключів індукційних плит. Перед встановленням звірте схему й драйвер затвора з datasheet.
Чи збігаються параметри точно з даташитом?
Цифри взято з даташиту BT15N120ANF, найближчої деталі до BT15N120. Точний збіг не гарантуємо, тому критичні параметри звіряйте самостійно.
Найближчий datasheet: BT15N120ANF (Huajing Microelectronics).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.