Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IXYS IXFH24N50 ( FH24N50 , IXFH24N50Q , FH24N50Q ) оригінал демонтаж, TO247 б/в
235,00 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IXFH24N50 – N-канальний польовий транзистор IXYS серії HiPerFET для силових ключів. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS (Littelfuse) |
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 500 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Id | 24 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 96 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,23 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5·Id25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 4 мА) |
| Vgs | ±20 В постійна; імпульсна ±30 В |
| Qg(on) | 135 нКл тип. (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IXFH24N50 (він же FH24N50, IXFH24N50Q, FH24N50Q) – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва IXYS (Littelfuse), серія HiPerFET, корпус TO247. У документі виробника корпус називається TO-247 AD. Напруга стік-витік Vdss – 500 В (Tj 25–150 °C), струм стоку Id – 24 А при Tc 25 °C, імпульсний струм Idm – 96 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0,23 Ом при Vgs 10 В і Id 0,5·Id25. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В, напруга затвор-витік Vgs – ±20 В постійна. Заряд затвора Qg(on) – 135 нКл (тип.) при Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 4200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Вбудований діод швидкий, деталь стійка до UIS.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Виводи корпусу: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік, фланець з'єднаний зі стоком. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vdss, Id, Rds(on) і корпус за datasheet, а також враховуйте заряд затвора: якщо він у заміни значно більший, перевірте драйвер. За даними виробника, близькі версії цієї серії – IXFH24N50Q та IXFT24N50.
Де застосовують
- DC-DC перетворювачі, синхронне випрямлення
- Зарядні пристрої, імпульсні та резонансні джерела живлення
- Регулятори постійного струму, керування двигунами змінного струму
- Регулювання температури та освітлення, низьковольтні реле
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити IXFH24N50?
Дивіться версії IXFH24N50Q та IXFT24N50 за даними виробника. Для інших транзисторів порівнюйте Vdss, Id, Rds(on) і корпус TO247 за datasheet.
Як перевірити такий MOSFET?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте, що між стоком, витоком і затвором немає короткого замикання, а вбудований діод працює в одному напрямку.
Яка напруга на затворі допустима?
Постійна напруга затвор-витік Vgs – ±20 В, імпульсна – ±30 В.
Документація виробника: IXFH/IXFM21N50, IXFH/IXFM/IXFT24N50, IXFH/IXFT26N50, HiPerFET Power MOSFETs, 91525H.
Параметри наведено за datasheet IXYS на серію IXFH/IXFM/IXFT24N50; ті самі значення підтверджує datasheet версії IXFH24N50Q.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.