Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор Infineon H40RF60 ( IHW40N60RF ) оригінал демонтаж б/в, TO247
164,50 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IHW40N60RF (H40RF60) – IGBT Infineon для резонансних перетворювачів, TO247. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT n-канал, Trench Stop, зі зворотною провідністю |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vce | 600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C, обмежено Tvj max); 40 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icpuls | 120 А |
| Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,40 В макс. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tvj 25 °C) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Потужність Ptot | 305 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2400 пФ |
| Температура переходу | -40…+175 °C |
| Вбудований діод | є, монолітний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Infineon IHW40N60RF (також H40RF60) – IGBT n-канал, Trench Stop, зі зворотною провідністю, серія Resonant Switching, корпус PG-TO247-3. Напруга колектор-емітер Vce – 600 В при Tvj 25 °C. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C (обмежено Tvj max) і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний Icpuls – 120 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1,85 В типово (2,40 В макс.) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tvj 25 °C. Вбудований монолітний діод розрахований на м'яку комутацію (soft commutation). Напруга затвор-емітер – до ±20 В, потужність розсіювання Ptot – 305 Вт при Tc 25 °C, температура переходу -40…+175 °C. Вхідна ємність Cies типово 2400 пФ.
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vce, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) і корпус, а також наявність вбудованого діода. Для резонансних схем дивіться ще й енергію вимкнення Eoff: 0,79 мДж при Tvj 125 °C, Vcc 400 В, Ic 40 А, Rg 5,6 Ом. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Індукційне нагрівання (Inductive cooking)
- Інверторні мікрохвильові печі
- Резонансні перетворювачі
- Схеми з м'яким перемиканням (soft switching)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити IHW40N60RF?
Порівнюйте за datasheet напругу Vce, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) і корпус. Готових аналогів у нашому каталозі для цієї позиції не підібрано, взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Для яких схем підходить IHW40N60RF?
Для індукційного нагрівання, інверторних мікрохвильових печей, резонансних перетворювачів і схем з м'яким перемиканням.
Чи є в IHW40N60RF вбудований діод?
Так, монолітний діод (body diode), розрахований на м'яку комутацію. Пряма напруга Vf – 1,75 В типово (2,20 В макс.) при Vge 0 В, If 40 А, Tvj 25 °C.
Документація виробника: IHW40N60RF Datasheet, Resonant Switching Series, Rev. 2.6.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon IHW40N60RF, Rev. 2.6.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.