Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор HUAYI G032N08 ( HYG032N08 , HYG032N08NS1P , G032N08P ) оригінал, TO220

79,90 ₴

3 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

3 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG032N08 (G032N08, HYG032N08NS1P, G032N08P) – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі TO-220 на 80 В для комутації й керування двигунами. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникHUAYI
Напруга Vds (Vgs 0 В, Tj 25 °C)80 В
Струм Id (Tc 25 °C)180 А
Струм Id (Tc 100 °C)127.3 А
Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А)3.0 мОм (макс. 3.4 мОм)
Qg (Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 50 А)118 нКл
Вхідна ємність Ciss7520 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd (Tc 25 °C)220.6 Вт
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

HYG032N08 (він же G032N08, HYG032N08NS1P, G032N08P) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) HUAYI у корпусі TO-220. Напруга Vds – 80 В при Vgs 0 В, Tj 25 °C. Струм стоку Id – 180 А при Tc 25 °C і 127.3 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3.0 мОм (макс. 3.4 мОм) при Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 118 нКл при Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 7520 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 220.6 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 175 °C. Пряма напруга вбудованого діода – 0.9 В при Isd 50 А, Vgs 0 В.

Оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за каналом, корпусом і розпіновкою: Vds і Id – не нижчі, Rds(on) – не вищий, а за більшого заряду затвора перевірте драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутаційні схеми
  • Керування живленням інверторних систем
  • Керування двигунами
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити HYG032N08?

Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією самою розпіновкою. Напруга Vds і струм Id мають бути не нижчими, опір Rds(on) – не вищим. Значення порівнюйте за datasheet.

Як перевірити MOSFET мультиметром?

Випаяйте деталь зі схеми й прозвоніть переходи. Між стоком і витоком має бути тільки перехід вбудованого діода, а між затвором та іншими виводами провідності бути не повинно.

Чи є в цієї деталі інші позначення?

Так: G032N08, HYG032N08NS1P і G032N08P – вони вказані в назві товару.

Datasheet

Документація виробника: HYG032N08NS1P (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG032N08NS1P (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.