Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал

Транзистор MDU1511 оригінал, PowerDFN56

71,44 ₴

17 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

17 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

MDU1511 – N-канальний Trench MOSFET виробництва MagnaChip у корпусі PowerDFN56 для DC/DC-перетворювачів. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусPDFN-8 (5×6)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникMagnaChip
ТипTrench MOSFET, N-канал
Напруга Vds30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id100 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В)
Rds(on)2,4 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 28 А)
Заряд затвора Qg51,8 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 15 В, ID = 28 А)
Вхідна ємність Ciss3347 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Потужність Pd78,1 Вт (Tc 25 °C)
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал
Опис

MDU1511 виробництва MagnaChip – N-канальний Trench MOSFET у корпусі PowerDFN56. Напруга Vds 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id 100 А при Tc 25 °C і VGS = 10 В та 94 А при Tc 70 °C. Опір Rds(on) не більше 2,4 мОм при VGS = 10 В, ID = 28 А і не більше 3,3 мОм при VGS = 4,5 В. Порогова напруга Vgs(th) 1,8 В типово при ID = 250 мкА, напруга затвор-витік ±20 В. Заряд затвора Qg 51,8 нКл типово при VGS = 10 В, VDS = 15 В, ID = 28 А. Вхідна ємність Ciss типово 3347 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 78,1 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Під час підбору заміни порівнюйте корпус і розпіновку, канал, Vds, Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання; якщо Qg заміни удвічі більший, перевірте драйвер. Дані взято з документа MDU1511 Version 1.5 (MagnaChip). Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • DC/DC-перетворювачі та пристрої загального призначення
  • 100 % випробування UIL і Rg
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити MDU1511?

Підійде N-канальний MOSFET у корпусі PowerDFN56 з такою самою розпіновкою: Vds не нижче 30 В, Id близький до 100 А, Rds(on) не вищий за 2,4 мОм при порівнянному VGS. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чи керується він логічним рівнем?

Rds(on) наведено при VGS = 10 В і VGS = 4,5 В: до 2,4 і до 3,3 мОм. Порогова напруга Vgs(th) 1,8 В типово.

Які випробування вказані в документі?

За документом MagnaChip, вказано 100 % випробування UIL і Rg.

Datasheet

Документація виробника: MDU1511 (MagnaChip).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

MDU1511 (MagnaChip) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.