Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP80NF55 ( P80NF55 , 80NF55 ) оригінал, TO220
141,00 ₴
15 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
15 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP80NF55 (P80NF55, 80NF55) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-220 для імпульсних схем. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 55 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (обмежено корпусом) |
| Струм Id (100 °C) | 80 А (обмежено корпусом) |
| Rds(on) тип. / макс. | 5 / 6.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 142 нКл, макс. 189 нКл (VDD = 44 В, ID = 80 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) мін. / тип. / макс. | 2 / 3 / 4 В (ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
STP80NF55 – N-канальний MOSFET серії STripFET II від STMicroelectronics у корпусі TO-220. Цифри нижче наведено за даташитом найближчої деталі STP80NF55-06 (STMicroelectronics): напруга стік–витік Vds 55 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В), струм стоку 80 А при 25 °C та 80 А при 100 °C (в обох випадках обмежено корпусом). Опір відкритого каналу Rds(on) – 5 мОм типовий і 6.5 мОм максимальний при VGS = 10 В, ID = 40 А. Вхідна ємність Ciss типово 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 300 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Заряд затвора Qg – 142 нКл (максимум 189 нКл) при VDD = 44 В, ID = 80 А, VGS = 10 В, порогова напруга Vgs(th) – від 2 до 4 В (типово 3 В) при ID = 250 мкА. Для заміни беріть транзистор з тим самим каналом, корпусом TO-220 і розпіновкою, з Vds не нижчою за 55 В і Rds(on) не гіршим. Якщо Qg у заміни більший, перевірте можливості драйвера затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні застосування (Switching application)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STP80NF55?
Підійде транзистор з N-каналом у TO-220 з такою самою розпіновкою, Vds не нижче 55 В і Rds(on) не гірше. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи однакові P80NF55 і 80NF55 з STP80NF55?
Це позначення тієї самої деталі в назві товару. Параметри в описі взято за даташитом найближчої деталі STP80NF55-06, тому точний збіг варіанта перевіряйте за маркуванням.
На що звернути увагу при керуванні затвором?
Qg – 142 нКл (макс. 189 нКл) при VDD = 44 В, ID = 80 А, VGS = 10 В. Драйвер має справлятися з таким зарядом на потрібній частоті перемикання.
Найближчий datasheet: STP80NF55-06 (STMicroelectronics).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.