Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3377 ( K3377 ) оригінал, TO252
95,88 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
2SK3377 (K3377) – потужний N-канальний MOSFET-транзистор NEC у корпусі TO-252, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою V(BR)DSS | 60 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 20 А (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Id(pulse) | 50 А (PW ≤ 10 мкс, скважність ≤ 1 %) |
| Rds(on) за Vgs 10 В, Id 10 А | 44 мОм (макс.) |
| Rds(on) за Vgs 4.0 В, Id 10 А | 78 мОм (макс.) |
| Напруга відсікання VGS(off) (VDS 10 В, ID 1 мА) | 1.5–2.5 В (тип. 2.0 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 760 пФ (тип.) |
| Вихідна ємність Coss | 150 пФ (тип.) |
| Прохідна ємність Crss | 71 пФ (тип.) |
| Заряд затвора Qg (ID 20 А, VDD 48 В, VGS 10 В) | 17 нКл (тип.) |
| Напруга затвор–витік VGSS | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C) | 30 Вт |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
2SK3377 (K3377) – N-канальний потужний польовий транзистор (MOSFET) виробництва NEC (нині Renesas Electronics). Напруга пробою стік-витік V(BR)DSS – 60 В (мінімум), максимальний струм стоку Id – 20 А при температурі навколишнього середовища 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 44 мОм (макс., за Vgs 10 В, Id 10 А) або 78 мОм (макс., за Vgs 4.0 В, Id 10 А). Напруга відсікання затвора VGS(off) – 1.5–2.5 В (тип. 2.0 В) при VDS 10 В, ID 1 мА. Вхідна ємність Ciss – 760 пФ (тип.), вихідна Coss – 150 пФ, прохідна Crss – 71 пФ (VDS 10 В, f 1 МГц). Повний заряд затвора Qg – 17 нКл (тип.) при ID 20 А, VDD 48 В, VGS 10 В. Розсіювана потужність Pd – 30 Вт при TC 25 °C (1.0 Вт при TA 25 °C), температура каналу Tch – до 150 °C. Корпус TO-252. У документі виробника для корпусу TO-252 наведено версію 2SK3377-Z. Товар – оригінал, перевірка перед відправкою. Підбираючи заміну, орієнтуйтеся на напругу пробою не нижче 60 В, струм стоку не нижче 20 А і опір каналу не вище 44 мОм за тих самих умов вимірювання.
Де застосовують
- Ключові схеми комутації навантаження
- Джерела живлення
- Перетворювачі напруги
Який максимальний струм стоку у 2SK3377?
20 А при температурі навколишнього середовища 25 °C, за даними виробника.
У якому корпусі постачається транзистор?
TO-252. У документі виробника для корпусу TO-252 наведено версію 2SK3377-Z.
Це оригінал чи демонтаж?
Оригінал.
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Виміряйте опір каналу мультиметром у режимі перевірки діода.
Документація виробника: 2SK3377, SMD Type MOS FET.
Параметри наведено за datasheet NEC (Renesas) на 2SK3377 у версії для корпусу TO-252 (копія на pdf.jiepei.com).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.