Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор 2SK2313 ( K2313 ) оригінал демонтаж, TO-3P

130,19 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

2SK2313 (K2313) – N-канальний польовий транзистор Toshiba в корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vds60 В (Ta = 25 °C)
Струм стоку Id (DC)60 А (Ta = 25 °C)
Rds(on) при VGS = 10 В, ID = 30 А8 мОм (тип.), 11 мОм (макс.)
Rds(on) при VGS = 4 В, ID = 30 А12 мОм (тип.), 15 мОм (макс.)
Заряд затвора Qg170 нКл (VDD ≈ 48 В, VGS = 10 В, ID = 60 А)
Вхідна ємність Ciss5400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vth0,8 В (мін.), 2,0 В (макс.) при VDS = 10 В, ID = 1 мА
Потужність Pd150 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура каналу150 °C
Напруга затвор-витік Vgs±20 В
Тип каналуN-канал
КорпусTO-3P
ВиробникToshiba
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

2SK2313 (K2313) – N-канальний MOSFET Toshiba в корпусі TO-3P. За даташитом 2SK2313(F) напруга Vds складає 60 В, струм стоку Id (DC) – 60 А при Ta = 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 8 мОм (тип.) і 11 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А; при VGS = 4 В, ID = 30 А – 12 мОм (тип.) і 15 мОм (макс.). Розсіювана потужність Pd – 150 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура каналу – 150 °C, напруга затвор-витік Vgs – ±20 В. Заряд затвора Qg – 170 нКл при VDD ≈ 48 В, VGS = 10 В, ID = 60 А, тому драйвер затвора має давати достатній струм. Вхідна ємність Ciss типово 5400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц).

Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою деталлю канал (N), Vds, Id, Rds(on) при однаковому VGS, заряд затвора Qg і корпус TO-3P, а точну сумісність перевіряйте за даташитом. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта.

Де застосовують

  • Імпульсні регулятори
  • DC-DC-перетворювачі
  • Керування двигунами
Часто питають
Чим замінити 2SK2313?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 60 В, струмом стоку не менше потрібного вам і Rds(on) не гіршим при тому самому VGS. Також порівняйте заряд затвора Qg: якщо він значно більший, перевірте драйвер. Остаточно звіряйте з даташитом.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чи можна керувати транзистором напругою 4 В на затворі?

Даташит дає Rds(on) і при VGS = 4 В, ID = 30 А: 12 мОм (тип.), 15 мОм (макс.). При VGS = 10 В, ID = 30 А опір нижчий: 8 мОм (тип.), 11 мОм (макс.).

Яка максимальна напруга затвор-витік?

Vgs – ±20 В за даташитом 2SK2313(F).

Datasheet

Документація виробника: 2SK2313(F) (Toshiba).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

2SK2313(F) (Toshiba) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.