Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор FGB20N60SFD оригінал демонтаж б/в, D2PAK
150,40 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGB20N60SFD – IGBT-транзистор onsemi на 600 В із вбудованим діодом, D2PAK. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А |
| Vce(sat) | 2.2 В (Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 940 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGB20N60SFD – IGBT-транзистор onsemi типу Field Stop із вбудованим діодом у корпусі D2PAK. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.2 В типово (максимум 2.8 В; Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C). Заряд затвора Qg – 65 нКл (Vce 400 В, Ic 20 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 940 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Вбудований діод: Vf 1.9 В типово при If 10 А, Tc 25 °C; trr 34 нс (If 10 А, diF/dt 200 А/мкс). Потужність розсіювання Pd – 208 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівняйте корпус D2PAK, Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) і заряд затвора Qg. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- UPS
- Зварювальні апарати
- Схеми PFC
Чим замінити FGB20N60SFD?
Порівняйте корпус D2PAK, напругу Vces 600 В, струм Ic при 100 °C (20 А) та Vce(sat) 2.2 В. Вбудований діод у заміни теж має бути.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи підходить FGB20N60SFD для зварювального апарата?
За даними виробника, транзистор застосовують у зварювальних апаратах, сонячних інверторах, UPS і схемах PFC.
Який у FGB20N60SFD вбудований діод?
Vf 1.9 В типово при If 10 А і Tc 25 °C, trr 34 нс при If 10 А, diF/dt 200 А/мкс.
Документація виробника: FGB20N60SFD (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.