Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор STGB19NC60KD GB19NC60KD STGB19NC60KDT4 оригінал , D2PAK(Заміна для STGB19NC60HD , GB19NC60HD )
282,00 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STGB19NC60KD – оригінальний IGBT-транзистор STMicroelectronics на 600 В із вбудованим діодом у корпусі D2PAK. Може замінити STGB19NC60HD.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга VCES | 600 В |
| Струм IC при 25 °C | 35 А |
| Струм IC при 100 °C | 20 А |
| VCE(sat) | 2.0 В (VGE 15 В, IC 12 А, TC 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
STGB19NC60KD (також GB19NC60KD, STGB19NC60KDT4) – IGBT-транзистор STMicroelectronics серії PowerMESH із вбудованим ультрашвидким діодом у корпусі D2PAK. Напруга колектор–емітер VCES – 600 В (мінімум; VGE 0 В, IC 1 мА). Струм колектора IC – 35 А при TC 25 °C і 20 А при TC 100 °C. Напруга насичення VCE(sat) – 2.0 В типово (VGE 15 В, IC 12 А, TC 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 125 Вт при TC 25 °C. Час витримки короткого замикання – 10 мкс (VCE 300 В, Tj 125 °C, RG 10 Ом, VGE 12 В), максимальна температура переходу – 150 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. STGB19NC60KD може замінити STGB19NC60HD (GB19NC60HD); зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Якщо підбираєте інший IGBT, порівняйте корпус, VCES, IC при 100 °C та VCE(sat) зі схемою. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Високочастотні інвертори
- Приводи двигунів
Чим замінити STGB19NC60KD?
Порівняйте корпус D2PAK, напругу VCES 600 В, струм IC при 100 °C (20 А) та VCE(sat) 2.0 В. Наявність вбудованого діода теж має збігатися.
Чи може STGB19NC60KD замінити STGB19NC60HD?
Так, STGB19NC60KD може замінити STGB19NC60HD. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка стійкість до короткого замикання?
Час витримки короткого замикання – 10 мкс при VCE 300 В, Tj 125 °C, RG 10 Ом, VGE 12 В.
Документація виробника: STGB19NC60KDT4, STGF19NC60KD, STGP19NC60KD (DS5824 Rev 5).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.