Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GD18N40LZ ( STGD18N40LZT4 , 18N40LZ ) оригінал, DPAK
267,90 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GD18N40LZ (STGD18N40LZT4, 18N40LZ) – IGBT-транзистор STMicroelectronics для автомобільних котушок запалювання у корпусі DPAK. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з внутрішнім обмеженням напруги |
| Виробник | STMicroelectronics |
| VCES(clamped) типово | 390 В |
| VCE(sat) типово | 1.35 В (VGE 4.5 В, IC 10 А, TC 25 °C) |
| VGE(th) типово | 1.6 В |
| Qg типово | 29 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 490 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| ICP | 40 А |
| ESCIS | 180 мДж |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
GD18N40LZ (також STGD18N40LZT4, 18N40LZ) – IGBT-транзистор STMicroelectronics з внутрішнім обмеженням напруги для автомобільних систем запалювання, корпус DPAK. Напруга обмеження колектор–емітер VCES(clamped) – типово 390 В (мін. 360, макс. 420; IC 2 мА, VGE 0 В, Tj від –40 до 175 °C). Напруга насичення VCE(sat) – типово 1.35 В при VGE 4.5 В, IC 10 А, TC 25 °C (макс. 1.7 В); при Tj 150 °C – типово 1.30 В. Порогова напруга VGE(th) – типово 1.6 В (мін. 1.2, макс. 2.3; IC 1 мА). Імпульсний струм колектора ICP – 40 А. Енергія ESCIS при індуктивному вимкненні – 180 мДж. Заряд затвора Qg – типово 29 нКл (VCE 280 В, IC 10 А, VGE 0–5 В). Вхідна ємність Cies типово 490 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf – типово 5.5 мкс (VCC 300 В, L 1 мГн, IC 10 А, VGE 5 В). Максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Вбудованого діода немає: у datasheet вказано лише ESD-захист затвора, RG 1.6 кОм і RGE 16 кОм (typ.). Підбираючи заміну, звіряйте корпус, напругу обмеження, ESCIS і Vge(th) за datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Автомобільні системи запалювання (котушки запалювання)
- ESD-захищений логічний вхід затвора, вбудований резистор затвора
Чим замінити GD18N40LZ?
У нашому каталозі зараз немає IGBT, які підходять за параметрами. Для підбору порівнюйте корпус DPAK, напругу обмеження, ESCIS і Vge(th) за datasheet.
Чи є в GD18N40LZ вбудований діод?
Ні. У datasheet вказано лише ESD-захист затвора, RG 1.6 кОм і RGE 16 кОм (typ.).
Для чого потрібен GD18N40LZ?
Це ключ котушки запалювання в автомобілі. Затвор має ESD-захист і вбудований резистор, тому вхід можна керувати логічним сигналом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: STGD18N40LZT4 (DS13627 Rev 1).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.