Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор NGD8201AG оригінал демонтаж б/в ( NGD8201 , 8201AG ), DPAK

131,60 ₴

7 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

7 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

NGD8201AG (NGD8201, 8201AG) – IGBT-транзистор onsemi для систем запалювання в корпусі DPAK. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга Vces440 В (TJ = 25 °C)
Напруга обмеження BVces370–420 В (IC = 2 мА, TJ = –40…175 °C)
Струм Ic20 А при TC = 25 °C
VCE(on)1.3 В (IC = 10 А, VGE ≥ 4.5 В)
Pd125 Вт при TC = 25 °C
Вхідна ємність Cies1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц)
Tj max175 °C
ESD (HBM)8.0 кВ
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

NGD8201AG (NGD8201, 8201AG) – IGBT-транзистор onsemi для систем запалювання, корпус DPAK. За даташитом найближчої деталі NGD8201NT4 (onsemi): напруга колектор-емітер Vces – 440 В при TJ = 25 °C, напруга обмеження BVces – 370–420 В (тип. 395 В) при IC = 2 мА, TJ = –40…175 °C. Неперервний струм колектора Ic – 20 А при TC = 25 °C, напруга VCE(on) – 1.3 В при IC = 10 А, VGE ≥ 4.5 В. Вхідна ємність Cies типово 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц). Потужність розсіювання Pd – 125 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Захист від ESD (HBM) – 8.0 кВ.

Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Це варіант з літерою A, тому перед установкою звірте параметри з маркуванням на корпусі й документацією на свій блок запалювання. Пряма заміна за даними виробника – NGD8201NT4G. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Системи запалювання
  • Прямий впорск палива
  • Драйвери котушок індуктивності (Coil-on-Plug, Driver-on-Coil)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити NGD8201AG?

За даними виробника, пряма заміна – NGD8201NT4G. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Для чого використовується NGD8201AG?

Це IGBT для систем запалювання: прямий впорск палива й драйвери котушок індуктивності (Coil-on-Plug, Driver-on-Coil).

Чи збігаються параметри з наведеними на сторінці?

Цифри взято з даташиту найближчої деталі NGD8201NT4, тому точний збіг для варіанта з літерою A не гарантуємо. Звіряйте з документацією на свій пристрій.

Який у деталі захист від статики?

Захист від ESD (HBM) – 8.0 кВ при R = 1500 Ом, C = 100 пФ.

Datasheet

Найближчий datasheet: NGD8201NT4 (onsemi).

Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Найближчий datasheet: NGD8201NT4 (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Транзистор IRF3205 оригінал ( Заміна для CEP3205 , HRF3205 , KEP3205 , SSF5508 ), TO220

В наявності

58,28 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал (HEXFET)
ВиробникInfineon (International Rectifier)
КорпусTO-220
Напруга V(BR)DSS55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм ID при 25 °C110 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм ID при 100 °C80 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Опір RDS(on)8,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А)
Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg146 нКл макс. (ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга VGS±20 В макс.
Температура переходу-55…+175 °C
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Імпульсний струм колектора Icm150 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)235 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C)
КорпусTO-3P
Вбудований діодVf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс
СтанОригінал

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.