Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор TGAN30N135FD1 ( 30N135FD1 ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P(1350V,30A)
164,50 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TGAN30N135FD1 (30N135FD1) – IGBT-транзистор TRinno 1350 В, 30 А з вбудованим діодом, TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic | 60 А при TC = 25 °C; 30 А при TC = 100 °C |
| Імпульсний струм Icm | 90 А |
| Vce(sat) | 1.9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, TC = 25 °C) |
| Pd | 329 Вт при TC = 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 3570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
TGAN30N135FD1 (30N135FD1) – IGBT-транзистор виробництва TRinno з вбудованим діодом, корпус TO-3PN. Напруга колектор-емітер Vces – 1350 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА), напруга затвор-емітер Vges – ±20 В. Струм колектора Ic – 60 А при TC = 25 °C і 30 А при TC = 100 °C, імпульсний Icm – 90 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.9 В типово при VGE = 15 В, IC = 30 А, TC = 25 °C. Потужність розсіювання Pd – 329 Вт при TC = 25 °C і 132 Вт при TC = 100 °C. Максимальна температура переходу – 150 °C. Заряд затвора Qg – 200 нКл типово (VCC = 600 В, IC = 30 А, VGE = 15 В), тож драйвер має давати достатній струм заряду затвора. Вхідна ємність Cies типово 3570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода й корпус; тип IGBT і Qg впливають на драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційний нагрів
- Схеми з м'яким перемиканням (soft switching)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити TGAN30N135FD1?
Підходить IGBT у тому самому корпусі з Vces не нижче 1350 В, з вбудованим діодом, близьким Ic при 100 °C (для цієї деталі – 30 А) і схожим Vce(sat). Перевірте також Qg, бо від нього залежить навантаження на драйвер.
Чи підходить для індукційного нагріву?
Так, індукційний нагрів і схеми з м'яким перемиканням (soft switching) вказані серед застосувань цієї деталі.
Чи є в IGBT вбудований діод?
Так, вбудований діод є: IF = 30 А при TC = 100 °C.
Який корпус у TGAN30N135FD1?
Корпус TO-3PN (у назві товару – TO-3P), маркування TGAN30N135FD1.
Документація виробника: TGAN30N135FD1 (TRinno).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.