Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор H30R1353 ( IHW30N135R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247 (1350V,30A,349W)

164,50 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGBT-транзистор H30R1353 (IHW30N135R3) Infineon з вбудованим діодом, корпус TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з вбудованим діодом (Reverse-conducting)
Напруга Vce1350 В (абсолютний максимум)
Струм колектора Ic (25 °C)60 А (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм колектора90 А
Vce(sat) тип.1,65 В (IC 30 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C)
Vge(th)5,8 В (IC 0,75 мА, VCE = VGE)
Заряд затвора Qg263 нКл (VCC 1080 В, IC 30 А, VGE 15 В)
Потужність Ptot349 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

H30R1353 (IHW30N135R3) – IGBT-транзистор Infineon зі зворотною провідністю (Reverse-conducting) з вбудованим діодом, серія Resonant Switching, корпус TO-247. Напруга колектор–емітер Vce – 1350 В (абсолютний максимум). Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C, імпульсний – 90 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,65 В при IC 30 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C (2,00 В при Tvj 175 °C). Заряд затвора Qg – 263 нКл при VCC 1080 В, IC 30 А, VGE 15 В. Потужність розсіювання Ptot – 349 Вт при Tc 25 °C.

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу Vce, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода, заряд затвора Qg і корпус TO-247. Пряма заміна за даними виробника: IHW30N135R3FKSA1. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Індукційні плити
  • Інверторні мікрохвильові печі
  • Резонансні перетворювачі
  • М’яка комутація
Часто питають
Чим замінити H30R1353?

Заміну підбирайте за datasheet: корпус TO-247, Vce не нижче 1350 В, Ic при Tc 100 °C не нижче 30 А, вбудований діод і порівнянні Vce(sat) та заряд затвора Qg. За даними виробника пряма заміна – IHW30N135R3FKSA1.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чи підходить H30R1353 для індукційної плити?

Серія Resonant Switching і м’яка комутація вказані у datasheet; за даними виробника застосування – індукційні плити, інверторні мікрохвильові печі, резонансні перетворювачі.

Чи є в H30R1353 вбудований діод?

Так, монолітний діод для м’якої комутації (soft commutation). Пряма напруга діода Vf типово 1,65 В при IF 30 А, VGE 0 В, Tvj 25 °C.

Datasheet

Документація виробника: IHW30N135R3 (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IHW30N135R3 (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор N1600 оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор з вбудованим діодом
Напруга Vces1600 В
Струм колектора Ic60 А (25 °C), 30 А (100 °C)
Потужність Ptot312 Вт (25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1,8 В тип., 2,1 В макс. (IC = 30 А, VGE = 15 В)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.