Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор H30R1353 ( IHW30N135R3 ) , TO247(1350V,30A,349W)
141,00 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30R1353 (IHW30N135R3) – IGBT-транзистор Infineon зі вбудованим діодом для індукційних плит і резонансних перетворювачів. Нова деталь, корпус TO-247.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1350 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора Ic при 25 °C | 60 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic при 100 °C | 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 90 А |
| Vce(sat) | 1,65 В (IC 30 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 263 нКл (VCC 1080 В, IC 30 А, VGE 15 В) |
| Потужність Pd | 349 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
H30R1353 – IGBT-транзистор з вбудованим діодом для м’якої комутації (soft commutation), у документації Infineon він записаний як IHW30N135R3. Напруга колектор–емітер Vce 1350 В (абсолютний максимум). Постійний струм колектора 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C, імпульсний струм 90 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,65 В при IC 30 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C. Заряд затвора Qg 263 нКл (VCC 1080 В, IC 30 А, VGE 15 В). Потужність розсіювання 349 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C.
Нова деталь, не демонтаж. Корпус TO-247 (PG-TO247-3), маркування H30R1353. Для заміни порівнюйте напругу Vce, струм при Tc 100 °C, наявність вбудованого діода і корпус; пряма заміна за даними виробника – IHW30N135R3FKSA1. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційні плити
- Інверторні мікрохвильові печі
- Резонансні перетворювачі
- М’яка комутація
Чим замінити H30R1353?
Пряма заміна за даними виробника – IHW30N135R3FKSA1. Для інших варіантів порівняйте Vce 1350 В, струм при Tc 100 °C (30 А), наявність вбудованого діода і корпус TO-247.
Як перевірити IGBT H30R1353?
Мультиметром у режимі діода перевірте вбудований діод між колектором і емітером та відсутність пробою між затвором і іншими виводами. Для повної перевірки потрібна робота в схемі.
Чи підходить H30R1353 для індукційної плити?
Так, у документації вказані застосування: індукційні плити, інверторні мікрохвильові печі, резонансні перетворювачі.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Документація виробника: IHW30N135R3 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.