Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40T65QES оригінал ( MBQ40T65QES ) , TO247(Заміна для 40T65FDSC , MBQ40T65FDSC , MBQ40T65FESC , 40T65FESC )
123,14 ₴
34 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
34 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор MBQ40T65QES (Magnachip) на 650 В у корпусі TO-247 – оригінал, для силових інверторів і зварювальних перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (TC=25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC=100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.8 В тип. / 2.3 В макс. (Ic=40А, Vge=15В, Tvj=25°C) |
| Vce(sat) при Tvj=175°C | 2.3 В |
| Eoff (Tvj=25°C) | 0.4 мДж |
| Eoff (Tvj=175°C) | 0.57 мДж |
| Час спаду tf | 64 нс |
| Вбудований діод | так, антипаралельний FRD, Vf=1.5В тип. при If=20А |
| trr діода | 60 нс (If=20А, diF/dt=820А/мкс) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (Vce=520В, Ic=40А, Vge=15В) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.5–6.5 В, тип. 5.0 В |
| Розсіювана потужність Pd | 230 Вт (TC=25°C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MBQ40T65QES (у продажу також відомий як 40T65QES) – оригінальний N-канальний IGBT з технологією Field Stop Trench від Magnachip Semiconductor, у корпусі TO-247. Максимальна напруга колектор-емітер Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 80 А при TC=25 °C і 40 А при TC=100 °C (обмежено максимальною температурою переходу). Напруга насичення Vce(sat) – 1.8 В типово / 2.3 В максимум при Ic=40 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C, і зростає до 2.3 В при Tvj=175 °C. Вбудований антипаралельний швидкий діод (FRD) має Vf 1.5 В типово при If=20 А та час зворотного відновлення trr 60 нс. Повний заряд затвора Qg – 60 нКл при Vce=520 В, Ic=40 А, Vge=15 В; порогова напруга затвора Vge(th) – 3.5–6.5 В, типово 5.0 В. Розсіювана потужність Pd – 230 Вт при TC=25 °C, робочий діапазон температури переходу – до 175 °C.
Це оригінальний транзистор: перед відправкою перевіряємо відповідність маркування та справність переходів колектор-емітер і затвор-емітер. При підборі заміни орієнтуємось на клас IGBT, той самий корпус TO-247, напругу Vces не нижче 650 В, струм Ic не нижче паспортного і порівнянну напругу насичення Vce(sat). За назвою товару як заміни вказані 40T65FDSC, MBQ40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FESC – це позначення продавця, окремої таблиці замін виробник не публікує.
Де застосовують
- Інвертори
- Зварювальні перетворювачі
- Перетворювачі з високою частотою перемикання
Чим замінити MBQ40T65QES?
За назвою товару як заміни вказані 40T65FDSC, MBQ40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FESC – це позначення продавця, окремої таблиці замін виробник не публікує. У наявному каталозі підтвердженого фактами прямого аналога зараз немає.
Як перевірити IGBT-транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі діода дзвонять переходи колектор-емітер і затвор-емітер на обрив і пробій, звіряють маркування на корпусі з очікуваним партномером.
Чи підходить MBQ40T65QES для зварювального інвертора?
Так, за даними виробника транзистор застосовується у зварювальних перетворювачах і в перетворювачах з високою частотою перемикання при Vces 650 В.
Чому струм колектора відрізняється при 25°C і 100°C?
Через нагрів корпусу допустимий струм знижується: 80 А при TC=25 °C проти 40 А при TC=100 °C – обидва значення обмежені максимальною температурою переходу.
Документація виробника: MBQ40T65QES, Rev. 1.1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.