Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал

IGBT-транзистор FGD4536 оригінал , D-PAK (360V,220A,125W)

164,50 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

FGD4536 – IGBT-транзистор Fairchild Semiconductor (Trench, 360 В) у корпусі D-PAK для плазмових панелей PDP. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга колектор–емітер Vces360 В (абсолютний максимум; BVCES при VGE 0 В, IC 250 мкА)
Імпульсний струм колектора220 А (Tc 25 °C, півсинусоїда, D<0,01, імпульс <1 с)
Напруга насичення Vce(sat)1,59 В тип., 1,8 В макс. (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C1,66 В (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 125 °C)
Порогова напруга Vge(th)3,3 В тип., 2,4–4,0 В (IC 250 мкА, VCE = VGE)
Заряд затвора Qg47 нКл (VCE 200 В, IC 20 А, VGE 15 В)
Вхідна ємність Cies1295 пФ (VCE 30 В, VGE 0 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання125 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–корпус (макс.)1,0 °C/Вт (IGBT)
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал
Опис

FGD4536 – IGBT-транзистор Fairchild Semiconductor (Trench, 360 В) у корпусі TO-252 (D-PAK) для плазмових панелей PDP. Напруга колектор–емітер Vces 360 В (абсолютний максимум; BVCES при VGE 0 В, IC 250 мкА). Імпульсний струм колектора 220 А (Tc 25 °C, півсинусоїда, D<0,01, імпульс <1 с, обмежено Tj max); постійний струм Ic документ не вказує. Напруга насичення Vce(sat) 1,59 В типово, до 1,8 В максимум (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 25 °C). Заряд затвора Qg 47 нКл (VCE 200 В, IC 20 А, VGE 15 В). Вхідна ємність Cies типово 1295 пФ (VCE 30 В, VGE 0 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 125 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте корпус D-PAK, напругу Vces, імпульсний струм і Vce(sat) за однакових умов вимірювання. За даними виробника прямі заміни: FGD4536TM, FGD4536TM_F065.

Де застосовують

  • Телевізори PDP (плазмові панелі)
  • Побутова техніка
Часто питають
Це нова деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який струм у FGD4536?

Документ вказує імпульсний струм колектора 220 А (Tc 25 °C, півсинусоїда, D<0,01, імпульс <1 с). Постійний струм Ic в документі не наведений, тому число 220 А з назви товару – саме імпульсний струм.

Чим замінити FGD4536?

За даними виробника прямі заміни – FGD4536TM та FGD4536TM_F065. Інші варіанти підбирайте самостійно за datasheet: корпус D-PAK, Vces 360 В, імпульсний струм і Vce(sat).

Чи є в FGD4536 вбудований діод?

Наявність вбудованого діода в документі не вказана, тому не обіцяємо її. Звіряйте з вашою схемою та datasheet.

Datasheet

Документація виробника: FGD4536 (Fairchild Semiconductor).

Постійний струм колектора Ic та наявність вбудованого діода в документі не вказані.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FGD4536 (Fairchild Semiconductor) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Діод SF10A400HD оригінал , D-PAK

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Типнадшвидкий діод, одиночний
ВиробникKodenshi AUK Group
Повторювана зворотна напруга Vrrm400 В
Середній прямий струм If(AV)10 А
Ударний прямий струм Ifsm60 А (8,3 мс, половина синусоїди, на номінальному навантаженні)
Пряма напруга Vfm (макс.)1.40 В (If 10 А, Tj 25 °C); 1.20 В (If 10 А, Tj 125 °C)
Зворотний струм Irm (макс.)20 мкА (Vr = Vrrm, Tj 25 °C); 200 мкА (Vr = Vrrm, Tj 125 °C)
Час відновлення trr (макс.)30 нс (If 1 А, di/dt -100 А/мкс)
Ємність переходу Cj (тип.)65 пФ (Vr 10 В, 1 МГц)
Тепловий опір перехід–корпус6.0 °C/Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал

Мікросхема BD8693FVM ( D8693 , BD8693 ) оригінал, ssop-8(MSOP-8)

В наявності

126,90 ₴
ПараметрЗначення
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипЗворотно-провідний IGBT (soft switching)
Напруга Vce1200 В
Струм Ic (25 °C)50 А
Струм Ic (100 °C)25 А
Потужність Ptot (25 °C)365 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.6 В
Заряд затвора Qg60.7 нКл
Вхідна ємність Cies2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 25 А, 25 °C)1.5 В
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE30TD60BT оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)60 А
Струм Ic (100 °C)30 А
Vce(sat) (тип., 25 °C)1,7 В
Час зворотного відновлення діода trr178 нс
КорпусTO-247
ВиробникWuxi NCE Power
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.