Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор GT30J124 ( 30J124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( GT30J122 , 30J122 )

188,00 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

GT30J124 (30J124) – IGBT-транзистор Toshiba на 600 В у корпусі TO-220F для резонансних інверторів. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
Напруга колектор–емітер Vces600 В (Ta = 25 °C)
Струм колектора Ic (DC)30 А (Ta = 25 °C; імпульсний ICP 100 А, 1 мс)
Напруга насичення Vce(sat)2,1 В тип., 2,8 В макс. (IC = 50 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C)
Напруга відсікання VGE(off)3,0–6,0 В (IC = 50 мА, VCE = 5 В)
Час спаду tf0,25 мкс тип., 0,40 мкс макс. (IC = 50 А)
Потужність розсіювання Pc75 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

GT30J124 (30J124) – IGBT-транзистор Toshiba 4-го покоління для резонансних інверторів, корпус TO-220F. У назві товару вказані також номери GT30J122 та 30J122. Цифри нижче взято з документа Toshiba на GT30J122. Напруга колектор–емітер Vces 600 В (Ta = 25 °C). Струм колектора Ic (DC) 30 А при Ta = 25 °C, імпульсний ICP 100 А (1 мс). Напруга насичення Vce(sat) 2,1 В типово, до 2,8 В максимум (IC = 50 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C). Час спаду tf 0,25 мкс типово, 0,40 мкс максимум (IC = 50 А). Потужність розсіювання 75 Вт при Tc = 25 °C, температура переходу до 150 °C.

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте корпус, напругу Vces, струм Ic і Vce(sat) за однакових умов вимірювання; документ не вказує, чи є вбудований діод, тому звіряйте це з вашою схемою.

Де застосовують

  • Резонансні інвертори (current resonance inverter switching)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Для чого використовують GT30J124?

Це IGBT для резонансних інверторів. Точне призначення у вашому апараті звіряйте зі схемою.

Чим замінити GT30J124?

У назві товару вказані номери GT30J122 та 30J122. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet: корпус TO-220F, Vces, Ic та Vce(sat) мають збігатися.

Чи збігаються параметри з GT30J124?

Цифри на сторінці взято з документа Toshiba на GT30J122, номер GT30J124 у цьому документі не названий. Для відповідальних схем звіряйте параметри з документом на вашу деталь.

Datasheet

Документація виробника: GT30J122 (Toshiba).

Параметри взято з документа Toshiba на GT30J122 (номер з назви товару); номер GT30J124 у документі не названий, тому параметри GT30J124 можуть відрізнятися.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

GT30J122 (Toshiba) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

IGBT-транзистор GT30F124 ( 30F124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( 300V , 200A )

В наявності

160,74 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces300 В
Струм колектора Ic (імпульсний, 3 мкс)200 А
Напруга насичення Vce(sat)2,3 В тип. (Ic 120 А)
Розсіювана потужність Pc25 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-220F
СтанОригінал, демонтаж б/в

Схожі товари

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJilin Sino-Microelectronics (JSMC)
ТипIGBT Trench FS з діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм Ic (25 °C)100 А
Струм Ic (100 °C)50 А
Vce(sat)1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C)
Vge(th)4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd437 Вт (Tc = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.