Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30J122 оригінал ,TO-3P(N)IS ізольований корпус
282,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT30J122 – оригінальний IGBT-транзистор Toshiba 4-го покоління в ізольованому корпусі TO-3P(N)IS для резонансних інверторів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(N)IS |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А |
| Імпульсний струм Icp | 100 А (1 мс) |
| Vce(sat) | 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В (макс. 2,8 В) |
| Напруга відсікання Vge(off) | 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ при Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц |
| Час спаду tf | 0,25 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) |
| Потужність розсіювання Pc | 75 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |
GT30J122 – n-канальний IGBT-транзистор Toshiba 4-го покоління в ізольованому корпусі TO-3P(N)IS (Toshiba 2-16F1A). Напруга колектор-емітер Vces – 600 В, струм колектора Ic (DC) – 30 А, імпульсний струм Icp – 100 А (1 мс). Напруга насичення Vce(sat) – 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В (макс. 2,8 В). Напруга відсікання Vge(off) – 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В. Вхідна ємність Cies – 2500 пФ при Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц. Час спаду tf – 0,25 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.). Потужність розсіювання Pc – 75 Вт, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic, Vce(sat), tf і тип корпусу: корпус TO-3P(N)IS ізольований і відрізняється від звичайного TO-3P(N). Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- 4-те покоління IGBT Toshiba для резонансних інверторів (current resonance inverter switching)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим відрізняється GT30J122 від GT30J122A?
Це різні редакції документів і різні параметри: у GT30J122 Pc – 75 Вт, Vce(sat) – 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В. Заміну GT30J122A на цей транзистор перевіряйте за datasheet.
Який у GT30J122 корпус?
TO-3P(N)IS (Toshiba 2-16F1A) – ізольований корпус. Він відрізняється від звичайного TO-3P(N), тому перед заміною порівняйте корпуси.
Чим замінити GT30J122?
Потрібен n-канальний IGBT на 600 В і не менше ніж 30 А у корпусі TO-3P(N)IS. Порівняйте Vce(sat) і час спаду tf за datasheet.
Документація виробника: GT30J122 (Toshiba).
Температура корпусу для Ic і Pc у документі не вказана.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.