Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AP85GT33SW ( 85GT33SW ) , TO3P оригінал
211,50 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
AP85GT33SW (85GT33SW) – IGBT-транзистор 330 В у корпусі TO-3P, оригінал. Силовий ключ з керуванням напругою на затворі.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 330 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 3,0…5,0 В |
| Корпус | TO-3P |
| Маркування | 85GT33SW |
| Стан | Оригінал |
AP85GT33SW (85GT33SW) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі TO-3P. Точного даташиту на AP85GT33SW не знайшли. Найближчий схожий даташит – IXGQ90N33TCD1 (IXYS) у тому самому корпусі: напруга колектор–емітер Vces 330 В, напруга затвор–емітер ±20 В, порогова напруга Vge(th) від 3,0 до 5,0 В, температура переходу до +150 °C. Документ описує деталь на інший струм, тому струм колектора, потужність і напругу насичення з нього не наводимо. За даташитом IXGQ90N33TCD1 такі транзистори ставлять у драйвери плазмових панелей. Стан – оригінал.
Заміну підбирайте за корпусом TO-3P і напругою не нижче 330 В; струм і наявність вбудованого діода звіряйте з документацією на вашу схему. Корпус TO-3P кріпиться до радіатора через ізоляційну прокладку, якщо радіатор не ізольований від схеми. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- драйвери плазмових панелей (PDP)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити AP85GT33SW?
Шукайте IGBT у корпусі TO-3P з напругою колектор–емітер не нижче 330 В. Струм колектора і наявність діода звіряйте з документацією на вашу схему.
Під яким ще номером він зустрічається?
На деталі може бути маркування 85GT33SW.
Звідки параметри AP85GT33SW?
Точного даташиту на AP85GT33SW не знайшли. Параметри взято з найближчого схожого даташиту – IXGQ90N33TCD1 (IXYS) у корпусі TO-3P. Струм і потужність там для деталі 90 А, тому їх не наводимо.
Найближчий datasheet: IXGQ90N33TCD1 (IXYS).
Точного даташиту на AP85GT33SW не знайдено. Найближчий схожий даташит – IXGQ90N33TCD1 (IXYS), корпус TO-3P. З нього взято тільки параметри, які не залежать від струму деталі.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.