IGBT-транзистор RJH60F7 оригінал демонтаж б/в, TO-3P

RJH60F7 – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-3P. Точного даташиту на RJH60F7 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі RJH60F7ADPK (Renesas) у тому самому корпусі TO-3P: напруга колектор–емітер Vces 600 В, струм колектора Ic 90 А при TC = 25 °C і 50 А при TC = 100 °C, імпульсний струм 180 А. Напруга насичення Vce(sat) не більше 1,75 В при IC = 50 А і типово 1,6 В при IC = 90 А (VGE = 15 В). Напруга відсічки Vge(off) від 4 до 8 В, напруга затвор–емітер ±30 В. Вхідна ємність Cies типово 4890 пФ. Час затримки вимкнення td(off) типово 122 нс, час спаду tf типово 95 нс (IC = 30 А, VCC = 300 В, резистивне навантаження). Розсіювана потужність Pc 328,9 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,38 °C/Вт, температура переходу до +150 °C. Діод: пряма напруга типово 1,6 В (макс. 2,1 В) при IF = 20 А, час відновлення trr типово 140 нс, імпульсний прямий струм 100 А.

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Заміну підбирайте за корпусом TO-3P і розпіновкою (1 – G, 2 – C, 3 – E), з напругою не нижче 600 В, струмом не нижче 50 А при 100 °C і з вбудованим швидким діодом. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

• швидке силове перемикання