IGBT-транзистор H25R1203 ( IHW25N120R3 ) демонтаж б/в, TO-247

H25R1203 (IHW25N120R3) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) з вбудованим зворотним діодом у корпусі TO-247. Точного даташиту на IHW25N120R3 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі IHW25N120R2 (Infineon) у тому самому корпусі: напруга колектор–емітер Vces 1200 В, напруга затвор–емітер ±20 В. Струм колектора Ic 50 А при Tc = 25 °C і 25 А при Tc = 100 °C, імпульсний 75 А. Потужність розсіювання Ptot 365 Вт при Tc = 25 °C, тепловий опір перехід–корпус 0,41 °C/Вт, температура переходу до +175 °C. Напруга насичення Vce(sat) 1,6 В типово і не більше 1,8 В (VGE = 15 В, IC = 25 А). Порогова напруга затвора Vge(th) від 5,1 до 6,4 В, заряд затвора Qg 60,7 нКл, вхідна ємність Cies 2342 пФ. Вбудований діод: пряма напруга Vf 1,5 В типово і не більше 1,75 В при IF = 25 А.

Демонтаж б/в: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. За даташитом IHW25N120R2 такі транзистори ставлять в індукційні плити та інші схеми з м'яким перемиканням. Заміну підбирайте за корпусом TO-247 і розпіновкою: напруга не нижче 1200 В, струм колектора при 100 °C не нижче 25 А, вбудований діод. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

• індукційні плити
• схеми з м'яким перемиканням