Транзистор G60N60BN3H оригінал ( CRG60N60BN3H , G60N60 ), TO3P

G60N60BN3H (CRG60N60BN3H, G60N60) – IGBT-транзистор з вбудованим зворотним діодом у корпусі TO-3P, оригінал. Точного даташиту на G60N60BN3H не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі CRG60T60AN3H. За цим документом транзистор зроблено за технологією Field Stop Trench. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В, напруга затвор–емітер ±20 В. Струм колектора – 120 А при TC = 25 °C і 60 А при TC = 100 °C, імпульсний Icm – 180 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,85 В, не більше 2,4 В (IC = 60 А, VGE = 15 В). Порогова напруга Vge(th) від 4,0 до 7,0 В. Заряд затвора Qg типово 117 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В), вхідна ємність Cies типово 3398 пФ (VCE = 30 В, f = 1 МГц). Енергія перемикання при VCE = 400 В, IC = 60 А, Rg = 10 Ом: Eon 4,79 мДж, Eoff 1,39 мДж, час спаду tf 51 нс. Потужність розсіювання Pd – 403 Вт при TC = 25 °C, тепловий опір перехід–корпус 0,31 °C/Вт, температура переходу до +150 °C. Діод: прямий струм 30 А при 100 °C, Vf типово 1,3 В при IF = 30 А, trr 80 нс.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, звіряйте корпус TO-3P, напругу Vces не нижче 600 В, струм колектора при 100 °C не нижче 60 А і наявність вбудованого діода. Параметри взято з даташиту схожої деталі, тому перед заміною звірте їх із документацією на ваш пристрій. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Застосування за даташитом CRG60T60AN3H: зварювальні інвертори; сонячні інвертори; джерела безперебійного живлення.

Де застосовують

• Зварювальні інвертори
• Сонячні інвертори
• Джерела безперебійного живлення (ДБЖ)