Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор RJP30H2A оригінал демонтаж б/в, D2PAK

188,00 ₴

60 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

60 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

RJP30H2A – N-канальний IGBT Renesas для швидкісних силових ключів. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникRenesas
Напруга Vces360 В (Ta 25 °C)
Напруга Vges±30 В
Струм Ic35 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Ic(peak)250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Потужність Pc60 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Vce(sat)1,4 В тип., 1,9 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В)
Заряд затвора Qg37 нКл
Вхідна ємність Cies1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
КорпусD2PAK
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

RJP30H2A (Renesas) – N-канальний IGBT-транзистор trench gate серії G6H-II у корпусі D2PAK. Напруга колектор–емітер Vces – 360 В, Vges – ±30 В (Ta 25 °C). Струм колектора Ic – 35 А при Ta 25 °C; імпульсний Ic(peak) – 250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %). Потужність Pc – 60 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Vce(sat) – 1,4 В тип., 1,9 В макс. при Ic 35 А, Vge 15 В. Заряд затвора Qg – 37 нКл (Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А). Вхідна ємність Cies типово 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час наростання tr – 100 нс, час спаду tf – 180 нс (Ic 35 А, RL 4,5 Ом, Vge 15 В, Rg 5 Ом).

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic, Vce(sat), Qg і корпус. Виробник називає у тому ж документі RJP30H2DPK-M0: це інша модифікація, перевіряйте її корпус за datasheet.

Де застосовують

  • Швидкісні силові ключі (High speed power switching)
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
RJP30H2A той самий номер RJP30H2A і той самий корпус D2PAK у назві тієї позиції не вказано демонтаж; стан дивіться на її сторінці Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити RJP30H2A?

Порівняйте Vces, Ic, Vce(sat), Qg і корпус D2PAK. Якщо Qg у заміни значно більший, перевірте драйвер затвора. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.

Яка максимальна напруга у RJP30H2A?

Vces – 360 В при Ta 25 °C. Це невисока напруга, тож перед встановленням звірте її з вашою схемою.

Якою напругою керується затвор?

Допустима напруга затвор–емітер Vges – ±30 В, порогова Vge(off) – 2,5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА, Ta 25 °C. Vce(sat) наведено при Vge 15 В.

Datasheet

Документація виробника: RJP30H2A (Renesas).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

RJP30H2A (Renesas) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

IGBT-транзистор GT30F131 ( 30F131 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK (TO-263)

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор
Напруга Vces360 В
Напруга насичення Vce(sat)1,9 В (тип.)
КорпусD2PAK
Маркування30F131
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал , D2PAK

В наявності

211,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникRenesas
КорпусD2PAK
Напруга Vces630 В (Ta 25 °C)
Напруга Vges±30 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic35 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Ic(peak)200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Напруга насичення Vce(sat)1,9 В тип., 2,4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C)
Заряд затвора Qg20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А)
Вхідна ємність Cies620 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
СтанОригінал

Транзистор KF7N60F ( KF7N60 ) оригінал , TO220F

В наявності

126,90 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникKEC
Напруга Vdss600 В (TC 25 °C)
Струм Id (25 °C)7 А
Струм Id (100 °C)4 А
Rds(on)0,95 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А)
Qg19 нКл
Вхідна ємність Ciss900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2,5–4,5 В
Pd41 Вт (TC 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникHangzhou Silan Microelectronics
Напруга Vds600 В (TC 25 °C)
Струм Id (25 °C)7,0 А
Струм Id (100 °C)4,0 А
Rds(on)0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А)
Vgs(th)2,0–4,0 В
Pd45 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор K50EF5 ( IKW50N65F5 ) демонтаж б/в, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
МаркуванняK50EF5
Напруга Vce650 В
Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено виводами)80 А
Струм Ic (Tc 100 °C)56 А
Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C)1,60 В типово
Вбудований діодє (RAPID1)
Ptot (Tc 25 °C)305 Вт
КорпусTO-247
СтанДемонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.