Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор HGTG10N120BND оригінал (1200V,35A,298W) , TO247
202,57 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор HGTG10N120BND onsemi з антипаралельним швидким діодом для керування двигунами й блоків живлення. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | IGBT NPT з антипаралельним швидким діодом |
| Напруга BVCES | 1200 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм IC25 | 35 А (TC = 25 °C) |
| Струм IC110 | 17 А (TC = 110 °C) |
| Імпульсний струм ICM | 80 А |
| Напруга насичення VCE(sat) | 2,45 В тип., 2,7 В макс. (IC = 10 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(ON) | 100 нКл тип., 120 нКл макс. |
| Розсіювана потужність PD | 298 Вт (TC = 25 °C) |
| Діапазон температур переходу TJ | -55…150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,42 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
HGTG10N120BND – IGBT-транзистор onsemi (ON Semiconductor) типу NPT з антипаралельним швидким діодом Hyperfast. Напруга колектор–емітер BVCES – 1200 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В). Струм колектора IC – 35 А при TC = 25 °C і 17 А при TC = 110 °C, імпульсний ICM – 80 А. Напруга насичення VCE(sat) – 2,45 В (тип.), 2,7 В (макс.) при IC = 10 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C. Розсіювана потужність – 298 Вт при TC = 25 °C. Час короткого замикання – 8 мкс (VGE = 15 В, VCE(PK) = 840 В, TJ = 125 °C, RG = 10 Ом). Діапазон температур переходу -55…150 °C. Корпус TO-247-3LD (CASE 340CK).
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип (NPT IGBT з антипаралельним діодом), корпус TO-247, напругу 1200 В і струм при 110 °C, а також напругу насичення. Остаточно звіряйте параметри з datasheet.
Де застосовують
- Керування двигунами змінного та постійного струму
- Блоки живлення
- Драйвери соленоїдів, реле й контакторів
- Високовольтні ключі на помірних частотах, де важливі малі втрати провідності
Чим замінити HGTG10N120BND?
Шукайте NPT IGBT з антипаралельним швидким діодом у корпусі TO-247 з напругою 1200 В і струмом не нижче 17 А при TC = 110 °C. Виробник заміни не називає, тому звіряйте параметри з datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для керування двигуном?
Так, керування двигунами змінного та постійного струму – одне із застосувань за datasheet. Перед встановленням звірте режим роботи вашої схеми з datasheet.
Скільки витримує при короткому замиканні?
Тривалість короткого замикання tSC – 8 мкс при VGE = 15 В, VCE(PK) = 840 В, TJ = 125 °C, RG = 10 Ом; при VGE = 12 В – 15 мкс.
Документація виробника: HGTG10N120BND/D, Rev. 2.
Параметри наведено за datasheet виробника onsemi.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.