Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор GT30F132 , D2PAK (TO-263)
65,80 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT30F132 – IGBT-транзистор 360 В у корпусі D2PAK (TO-263) для поверхневого монтажу. Застосовують у плазмових телевізорах.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 360 В |
| Монтаж | поверхневий (SMD) |
| Корпус | D2PAK |
GT30F132 – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі D2PAK (TO-263) для поверхневого монтажу. Окремого даташиту на GT30F132 не знайшли. Параметри наведено за таблицею IGBT Toshiba з листа дистриб'ютора AG Electronica: напруга колектор–емітер Vces 360 В. Струм і потужність таблиця дає для корпусу TO-220SM(MXN), тому в картці їх немає. Інших параметрів у документі немає.
За таблицею Toshiba GT30F132 призначений для плазмових телевізорів: схеми підтримки розряду, рекуперації енергії та розділення. Заміну підбирайте за корпусом D2PAK (TO-263) і розпіновкою, з напругою колектор–емітер не нижче 360 В; струм звіряйте з документацією на ваш пристрій. У різних IGBT виводи затвора, колектора та емітера можуть стояти в іншому порядку, тому перед монтажем звірте розпіновку з платою. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- плазмові телевізори (PDP)
- схеми підтримки розряду та рекуперації енергії
Чим замінити GT30F132?
Шукайте IGBT у корпусі D2PAK (TO-263) з тією самою розпіновкою і напругою колектор–емітер не нижче 360 В. Струм звіряйте з документацією на ваш пристрій. Аналогів цього номера в наявності на сайті поки немає.
Як перевірити GT30F132 на платі?
Вимкніть пристрій і розрядіть конденсатори. Випаяйте транзистор або відключіть його виводи й мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте відсутність пробою між колектором, емітером і затвором.
Звідки параметри GT30F132?
Окремого даташиту на GT30F132 не знайшли. Напругу взято з рядка GT30F132 у таблиці IGBT Toshiba, яку наводить дистриб'ютор AG Electronica. Інших параметрів у цьому документі немає.
Що з доставкою?
Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Документація виробника: GT30F132 row, Toshiba IGBT table (AG Electronica).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.