Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема EG2113D , so-16
50,29 ₴
28 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
28 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
EG2113D – драйвер затворів MOSFET/IGBT верхнього і нижнього плеча виробництва EG Micro, корпус SO-16.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга плеча VB | 600 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм (джерело) | 2 А |
| Вихідний струм (стік) | 2 А |
| Частота перемикання | до 500 кГц |
| Мертвий час | 130 нс (тип.) |
EG2113D – драйвер затворів MOSFET/IGBT верхнього і нижнього плеча виробництва EG Micro, корпус SO-16. Входи HIN і LIN, є вимкнення SD. За документом EG2113D V1.1 (EG Micro): максимальна напруга плеча VB – 600 В (абсолютний максимум, TA 25 °C), живлення Vcc – 10–20 В (тип. 15 В). Вихідний струм – 2 А як джерело і 2 А як стік (імпульс 10 мкс). Струм спокою Icc – 50 мкА (тип., Vcc = 15 В, входи не підключені). Частота перемикання – до 500 кГц. Затримка вмикання – 300 нс, вимикання – 180 нс (тип., Vcc 15 В, CL 1 нФ, TA 25 °C). Час наростання – 20 нс, спаду – 15 нс (тип., CL 1 нФ). Мертвий час – 130 нс (тип.).
Щоб підібрати заміну, звіряйте корпус, розпіновку, напругу плеча, струм виходу і живлення за даташитом. Взаємозамінність перевіряйте самостійно. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Драйвери затворів MOSFET та IGBT у напівмостових схемах до 600 В
Для чого потрібен EG2113D?
Він керує затворами MOSFET або IGBT верхнього і нижнього плеча напівмоста до 600 В.
Яке живлення Vcc потрібне?
10–20 В, типове значення 15 В.
Чим замінити EG2113D?
Підбирайте драйвер у тому самому корпусі й з тією самою розпіновкою, з напругою плеча не нижче 600 В і вихідним струмом не нижче 2 А. Порівнюйте за даташитом.
Який вихідний струм драйвера?
2 А як джерело і 2 А як стік, в імпульсі 10 мкс.
Документація виробника: EG2113D (EG Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор G60T60AN3H оригінал ( CRG60T60AN3H , G60T60 ), TO3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. / 2.4 В макс. (Ic=60А, Vge=15В) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (If=30А) |
| Розсіювана потужність Pd | 403 Вт (Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2106 оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | драйвер затворів MOSFET і IGBT верхнього і нижнього ключа для DC-DC перетворювачів |
| Максимальна напруга плаваючого каналу VB | 600 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Напруга живлення VCC | 10–20 В |
| Напруга живлення VCC, абсолютний максимум | 20 В (TA 25 °C) |
| Вихідний струм (джерело / стік) | 0,3 / 0,6 А |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 В |
| Максимальна частота | 500 кГц |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | EG Micro |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2113D оригінал, SOW-16 широкий корпус
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro (Electronic Giant) |
| Тип | Драйвер затворів напівмоста |
| Напруга VB | 600 В |
| Напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | 2 / 2 А (PW 10 мкс) |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Статичний струм | 50 мкА типово, макс. 100 мкА (входи не підключені, Vcc 15 В) |
| Мертвий час | 130 нс (TA 25 °C, Vcc 15 В, CL 1 нФ, типовий) |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS150N04 ( CS150N04A8 , 150N04 , FP150N04S , HFP150N04S ) оригінал , TO220(40V,150A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 90 А |
| Імпульсний струм Idm (TC = 25 °C) | 600 А |
| Опір Rds(on) | 4 мОм (тип.), до 4,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 50 А |
| Vgs(th) | 2,0–3,5 В |
| Qg | 160 нКл (тип.) при VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8900 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт (тип.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.