Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Транзистор MJE3055T , TO220
42,30 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MJE3055T – біполярний NPN-транзистор у корпусі TO-220 для схем загального призначення та ключових схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор-база VCBO | 70 В |
| Напруга колектор-емітер VCEO | 60 В |
| Напруга емітер-база VEBO | 5 В |
| Струм колектора IC | 10 А (TC = 25 °C) |
| Струм бази IB | 6 А |
| Потужність розсіювання PC | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| hFE (VCE = 4 В, IC = 4 А) | 20–100 |
| hFE мін. (VCE = 4 В, IC = 10 А) | 5 |
| VCE(sat) макс. (IC = 4 А, IB = 0.4 А) | 1.1 В |
| VBE(on) макс. (VCE = 4 В, IC = 4 А) | 1.8 В |
| fT мін. (VCE = 10 В, IC = 500 мА) | 2 МГц |
| Температура переходу TJ / зберігання | 150 / -55…150 °C |
MJE3055T – біполярний NPN-транзистор виробника onsemi (раніше Fairchild) у корпусі TO-220. Напруга колектор-база VCBO – 70 В, колектор-емітер VCEO – 60 В, емітер-база VEBO – 5 В. Постійний струм колектора IC – 10 А при TC = 25 °C, струм бази IB – 6 А. Потужність розсіювання PC – 75 Вт при TC = 25 °C. Коефіцієнт підсилення hFE: 20–100 при VCE = 4 В, IC = 4 А; мінімум 5 при VCE = 4 В, IC = 10 А. Напруга насичення VCE(sat) не більше 1.1 В при IC = 4 А, IB = 0.4 А. Гранична частота fT – від 2 МГц при VCE = 10 В, IC = 500 мА.
Виводи: 1 – база, 2 – колектор, 3 – емітер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Підбираючи заміну, порівнюйте тип NPN, напругу VCEO, струм IC, потужність PC, hFE і розпіновку корпусу. Гранична частота fT невисока, тому для високочастотних схем цей транзистор не призначений.
Де застосовують
- Загального призначення та ключові схеми.
Чим замінити MJE3055T?
Потрібен NPN-транзистор у TO-220 з тією ж розпіновкою (1 база, 2 колектор, 3 емітер), не гірший за VCEO 60 В, IC 10 А і PC 75 Вт. Перевіряйте також hFE і порівняйте datasheet.
Яка розпіновка MJE3055T?
Вивід 1 – база, 2 – колектор, 3 – емітер.
Чи підходить MJE3055T для високочастотних схем?
Гранична частота fT – від 2 МГц при VCE = 10 В, IC = 500 мА, тому для високочастотних схем він не призначений.
Який струм витримує MJE3055T?
Постійний струм колектора IC – 10 А при TC = 25 °C. Потужність розсіювання PC – 75 Вт при TC = 25 °C, тому за великого струму потрібен радіатор.
Документація виробника: MJE3055T, Rev. A1 (Fairchild, тепер onsemi).
Параметри наведено за datasheet виробника (Fairchild, тепер onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема L7805CV оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга Vo | 5 В (Tj 25 °C, Vi 10 В, Io 500 мА; 4,8–5,2) |
| Вихідна напруга у всьому діапазоні | 4,75–5,25 В (Io 5 мА–1 А, Po до 15 Вт, Vi 8–20 В) |
| Вихідний струм Io (макс.) | 1,2 А |
| Вхідна напруга Vi (макс.) | 35 В (Tc 25 °C) |
| Нестабільність за входом | 100 мВ (Tj 25 °C, Vi 7–25 В, макс.) |
| Нестабільність за навантаженням | 100 мВ (Tj 25 °C, Io 5 мА–1,2 А, макс.) |
| Струм спокою Iq | 6 мА (Tj 25 °C, макс.) |
| Робоча температура | 0…125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SA1268
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -120 В (Ic -1 мА, мін.) |
| Напруга Vcbo | -120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 300 мВт (Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 125 °C |
| hFE | 200–400 (група G), 350–700 (група L) при Vce -6 В, Ic -2 мА |
| fT | 100 МГц (тип.) при Vce -6 В, Ic -1 мА |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1625
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга V(BR)CBO | -400 В (Ic -100 мкА, Ie 0) |
| Напруга V(BR)CEO | -400 В (Ic -1 мА, Ib 0) |
| Напруга V(BR)EBO | -7 В (Ie -100 мкА, Ic 0) |
| Імпульсний струм Icm | -0,5 А (Tamb 25 °C) |
| Потужність Pcm | 750 мВт (Tamb 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| hFE | 40–200 (Vce -5 В, Ic -50 мА; M 40–80, L 60–120, K 100–200) |
| Vce(sat) | -1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| Гранична частота fT | 10 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -10 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 40 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA1837 , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -230 В (Ic -10 мА, Ib 0, мін.) |
| Напруга Vcbo | -230 В |
| Струм колектора Ic | -1 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 20 Вт (Tc 25 °C), 2 Вт (Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 100–320 при Ic -100 мА, Vce -5 В |
| Vce(sat) макс. | -1.5 В при Ic -500 мА, Ib -50 мА |
| fT | 70 МГц при Ic -100 мА, Vce -10 В |
| Корпус | TO-220F |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.