Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP120N08 оригінал(80V,120A) , TO220(Заміна для CS120N08 )
89,77 ₴
72 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
72 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FHP120N08 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) FeiHong на 80 В і 120 А у корпусі TO-220. Оригінал, може замінити CS120N08.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 120 А (TC 25 °C), 84 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 6,0 мОм тип., 8,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
FHP120N08 – N-канальний MOSFET виробництва FeiHong у корпусі TO-220. За даташитом найближчої деталі FHP120N08D: напруга Vds 80 В, струм стоку Id 120 А при TC 25 °C (обмежено максимальною температурою переходу) і 84 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 6,0 мОм (тип.), 8,0 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=40 А. Порогова напруга Vgs(th) 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg 60 нКл (тип.) при VDS=64 В. Вхідна ємність Ciss типово 2900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 230 Вт при TC 25 °C, температура переходу до 175 °C. Вбудований діод є: Vsd макс. 1,3 В при IS=30 А, VGS=0 В, trr 65 нс (тип.).
Оригінал, не демонтаж. FHP120N08 може замінити CS120N08; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для підбору іншої заміни звіряйте тип каналу, корпус і розпіновку, а Vds і Id мають бути не нижчими. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування живленням в інверторах
- Імпульсні джерела живлення
- Керування двигунами постійного струму
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 3.9 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | звірте розпіновку за datasheet | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 3.8 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | звірте розпіновку за datasheet | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 80, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 5.2 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, примітка: драйвер (Qg удвічі більший), корпус TO-220 = TO-220 | Qg більший, перевірте драйвер затвора | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити FHP120N08?
Шукайте N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не нижче 80 В, Id не нижче 120 А і Rds(on) не вище 8,0 мОм при VGS=10 В. Варіанти з нашого каталогу є в таблиці аналогів. Параметри вказано за даташитом найближчої деталі, тому звіряйте їх із вашою схемою.
Яку деталь може замінити FHP120N08?
FHP120N08 може замінити CS120N08. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити FHP120N08 мультиметром?
Розрядіть виводи, потім у режимі перевірки діодів перевірте вбудований діод між стоком і витоком і відсутність провідності між затвором та іншими виводами. Розпіновку беріть з datasheet.
Найближчий datasheet: FHP120N08D (FeiHong).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.