Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247

164,50 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

FGH30S130P – IGBT-транзистор onsemi з вбудованим діодом для індукційного нагріву. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга колектор–емітер Vces1300 В (Tc 25 °C)
Напруга затвор–емітер Vges±25 В
Струм колектора Ic60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm90 А (обмежено Tj max)
Потужність розсіювання Pd500 Вт (Tc 25 °C)
Vce(sat)1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Робоча температура переходу Tj-55…+175 °C
Заряд затвора Qg372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

FGH30S130P – N-канальний IGBT onsemi з вбудованим діодом (shorted-anode), у корпусі TO-247-3LD. Напруга колектор–емітер Vces – 1300 В при Tc 25 °C, напруга затвор–емітер Vges – ±25 В. Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 90 А (обмежено Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 1,75 В typ, 2,3 В max при Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 500 Вт при Tc 25 °C. Робоча температура переходу: -55…+175 °C. Транзистор розроблений для м'якого перемикання (soft switching) і допускає паралельне вмикання.

Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність діода та корпус, а також заряд затвора Qg – 372,3 нКл при Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Індукційне нагрівання
  • Мікрохвильові печі
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Де застосовується FGH30S130P?

В індукційному нагріванні та мікрохвильових печах. Виробник розробив його для м'якого перемикання (soft switching).

Чим замінити FGH30S130P?

У нашому каталозі підтверджених за параметрами аналогів зараз немає. Порівнюйте Vces не нижче 1300 В, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність діода й корпус TO-247; Qg може змінити вимоги до драйвера.

Чи можна вмикати FGH30S130P паралельно?

Так, виробник вказує, що транзистор допускає паралельне вмикання.

Datasheet

Документація виробника: FGH30S130P/D, Rev. 3.

Datasheet виробника FGH30S130P/D, Rev. 3 (September 2020) знайдено; другого джерела й статусу виробництва немає.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FGH30S130P/D, Rev. 3 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Діодний міст GBJ2510 (Заміна для GBJ2010 , GBK25M )(1000V,25A)

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm1000 В (TA=25°C)
Середній прямий струм If(av)25 А (з тепловідводом, Tj=150°C)
Пряма напруга Vf1,05 В (If=12,5А, Tj=25°C, макс.)
Ударний струм Ifsm350 А (8,3мс)
Зворотний струм Irдо 10 мкА (Tj=25°C)
Робоча температура-55…+150°C
КорпусGBJ
Маса6,6 г

Мікросхема THX203H , DIP8 ( CR6203 , RM6203 , PD223 , SDC603 , SH604 )

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTHX (TongHuaXin)
Напруга ключа700 В (мін., Ioc = 10 мА)
Вихідна потужність12 Вт безперервно, 18 Вт пікова
Обмеження струму580 мА (Tj = 0–100 °C)
Піковий струм ключа800 мА (гранично допустимий)
Робоча напруга VCC4,8–9,0 В
Частота генератора61 кГц (Ct = 680 пФ, Vcc = 5,5–7,5 В, Ta = 25 °C)
КорпусDIP8

Схожі товари

IGBT-транзистор 45N60S1 ( NGTB45N60S1WG )(Заміна для 45N60S2 , NGTB45N60S2WG ) демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипTrench IGBT з діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)90 А
Струм Ic (100 °C)45 А
Потужність Pd (25 °C)300 Вт
Вхідна ємність Cies3115 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
Vce(sat) (45 А, 15 В, 25 °C, тип.)2.00 В
Tj max175 °C
КорпусTO-247
СтанДемонтаж б/в

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.