Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

235,00 ₴

26 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

26 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGBT-транзистор KGF75N65KDF (KEC, TO247) з вбудованим діодом для інверторів, ДБЖ та побутової техніки. Товар оригінал, перевірений перед відправкою.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал
Опис

KGF75N65KDF (інша назва 75N65KDF) – IGBT-транзистор KEC з вбудованим зворотним діодом у корпусі TO247. Максимальна напруга Vces – 650 В, струм колектора Ic – 100 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C. Розсіювана потужність Pd – 484 Вт при Tc 25 °C, робоча температура переходу – до 175 °C. Напруга насичення Vce(sat) при Ic 75 А, Vge 15 В і Tc 25 °C – 1,77 В типово, 2,2 В максимум.

Товар – оригінал, перевірений перед відправкою. Вбудований діод є. Для заміни звіряйте Vces, Ic при робочій температурі 100 °C і Vce(sat) з вашою схемою; в наявності є FGA60N65SMD з такими самими Vces 650 В і Ic 60 А при 100 °C – електрично близький, але в корпусі TO-3P, а не TO247.

Де застосовують

  • Кондиціонери
  • Індукційні плити
  • Холодильники
  • Двигуни
  • Інвертори
  • ДБЖ
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
FGA60N65SMD Vces ≥, Ic(100°C) ≥ 0.8×, Vce(sat) порівнянне, діод є Vces 650 В = 650 В; Ic(100°C) 60 А проти вимоги ≥60 А (0.8×75 А); Vce(sat) 1,9–2,5 В зіставне з 1,77–2,2 В; корпус TO-3P, а не TO247 – перевірте посадку Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити KGF75N65KDF?

За параметрами (Vces 650 В, Ic(100°C) від 60 А, вбудований діод) підходить FGA60N65SMD – але зверніть увагу, що він у корпусі TO-3P, а не TO247, тож перевірте посадку у вашій платі.

Які параметри Ic і Vces у KGF75N65KDF?

Vces 650 В, Ic 100 А при Tc 25 °C, 75 А при Tc 100 °C, розсіювана потужність 484 Вт при Tc 25 °C.

Чи є вбудований діод?

Так, це IGBT з co-pack діодом.

Для яких пристроїв підходить KGF75N65KDF?

За даними виробника – кондиціонери, індукційні плити, холодильники, двигуни, інвертори, ДБЖ.

Datasheet

Документація виробника: KGF75N65KDF (KEC product page, номер ревізії PDF на сторінці не прочитано – сам PDF-файл не вдалося завантажити за 10 звернень).

Vce(sat) за даташитом KEC (Rev. 1, 2022-04-20): 1,77 В тип. і 2,2 В макс. при Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

KGF75N65KDF (KEC product page, номер ревізії PDF на сторінці не прочитано – сам PDF-файл не вдалося завантажити за 10 звернень) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Транзистор 2SC3198

В наявності

11,75 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, малошумний
Напруга BVCEO50 В (IC 1 мА, IB 0)
Напруга BVCBO50 В (IC 100 мкА, IE 0)
Напруга BVEBO5 В (IE 100 мкА, IC 0)
Струм колектора150 мА
hFE70–400 (VCE 6 В, IC 2 мА)
VCE(sat)0,3 В макс. (IC 100 мА, IB 10 мА)
Потужність0,4 Вт (корпус TO-92)
fT80 МГц мін. (VCE 10 В, IC 1 мА)
NF10 дБ макс. (VCE 6 В, IC 0,1 мА, Rg 10 кОм, f 1 кГц)
Tj макс.125 °C
КорпусTO-92
ВиробникDDF (Shenzhen DingDeFeng Technology)

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга колектор–емітер Vces1300 В (Tc 25 °C)
Напруга затвор–емітер Vges±25 В
Струм колектора Ic60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm90 А (обмежено Tj max)
Потужність розсіювання Pd500 Вт (Tc 25 °C)
Vce(sat)1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Робоча температура переходу Tj-55…+175 °C
Заряд затвора Qg372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.