Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P
208,68 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор FGA60N65SMD (Fairchild, нині onsemi) у корпусі TO-3P з вбудованим швидким діодом – для потужних імпульсних джерел живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип. / 2.5 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл тип. / 284 нКл макс. |
| Вбудований діод | так |
| Розсіювана потужність Pd | 600 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
FGA60N65SMD – IGBT-транзистор виробництва Fairchild Semiconductor (нині onsemi) у корпусі TO-3PN (він же TO-3P-3, SC-65-3). Максимальна напруга колектор-емітер Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 120 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.9 В типова (2.5 В максимальна) при струмі 60 А, напрузі затвора Vge 15 В і температурі корпусу 25 °C. Питома енергія вимкнення Eoff – 7.5 мкДж/А типова. Вбудований зворотний діод має пряму напругу VFM 2.1 В типову (2.6 В максимальну) при струмі 30 А, час відновлення trr – 87 нс типовий при тому самому струмі і dIF/dt 200 А/мкс. Повний заряд затвора Qg – 189 нКл типовий (284 нКл максимальний) при напрузі Vce 400 В і струмі Ic 60 А.
У назві товару стан (оригінал чи демонтаж) не вказаний, уточнюйте це в менеджера перед замовленням. Максимальна розсіювана потужність Pd – 600 Вт при Tc 25 °C, гранична температура переходу Tj – 175 °C. Перед монтажем перевірте мультиметром у режимі діодного тесту перехід колектор-емітер і вбудований діод, звірте маркування на корпусі з номером FGA60N65SMD. Для заміни підбирайте IGBT з тим самим корпусом TO-3P, напругою Vces від 650 В і струмом Ic при 100 °C не нижче 60 А – у нашому каталозі це 50T65FD1.
Де застосовують
- Сонячні інвертори, ДБЖ (UPS), зварювальні апарати, PFC, телеком-обладнання, накопичувачі енергії (ESS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 50T65FD1 (SGT50T65FD1, SGT50T65FD1PN) | IGBT, той самий корпус TO-3P, Vces 650 В ≥ 650 В, Ic(100 °C) 50 А ≥ 0.8×60 А, вбудований діод в обох | Vce(sat) сусіда в фактах не наведено – пряме порівняння втрат провідності неможливе. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити FGA60N65SMD?
IGBT з тим самим корпусом TO-3P, напругою Vces від 650 В і струмом Ic при 100 °C не нижче 60 А – у нашому каталозі це 50T65FD1.
Як перевірити IGBT-транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів виміряти перехід колектор-емітер і вбудований діод, звірити маркування на корпусі з номером FGA60N65SMD.
Для яких пристроїв підходить FGA60N65SMD?
Для сонячних інверторів, ДБЖ, зварювальних апаратів, PFC-коректорів, телеком-обладнання та накопичувачів енергії – так вказує виробник у застосуваннях.
Що означають позначення TO-3PN, TO-3P-3 і SC-65-3 на цьому транзисторі?
Це різні назви того самого корпусу TO-3P, які використовують виробник Fairchild/onsemi і дистриб'ютор DigiKey – фізично корпус один і той самий.
Документація виробника: FGA60N65SMD Rev.C2.
Розподіл струму Ic по Tc у таблиці Absolute Maximum Ratings і точні часи перемикання (td, tr, tf, Eon, Eoff у нс/мДж) через зсув колонок при витягуванні PDF не вдалося однозначно прочитати – наведено лише Eoff=7.5 мкДж/А з блоку Features. Стан (оригінал/демонтаж) у назві товару в каталозі не вказаний.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.