Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор IXFH30N50P ( IXFH30N50 , 30N50A , 30N50 ) оригінал демонтаж(500V,30A), TO247

235,00 ₴

14 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

14 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

IXFH30N50P (IXFH30N50, 30N50A, 30N50) – N-канальний польовий транзистор Littelfuse/IXYS серії PolarHV HiPerFET, корпус TO-247. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, PolarHV HiPerFET
Напруга Vds500 В (Tj 25–150 °C)
Струм стоку Id30 А (Tc 25 °C)
Опір Rds(on) тип.165 мОм (Vgs 10 В, Id 0.5·Id25; макс. 200 мОм)
Заряд затвора Qg70 нКл
Вхідна ємність Ciss4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3.0–5.0 В (Id 4 мА)
Потужність Pd460 Вт (Tc 25 °C)
Час відновлення діода trr200 нс макс.
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

IXFH30N50P – N-канальний MOSFET Littelfuse/IXYS серії PolarHV HiPerFET, режим збагачення, корпус TO-247, зі швидким внутрішнім діодом. Напруга Vds – 500 В при Tj 25–150 °C. Струм стоку Id – 30 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 165 мОм типово (максимум 200 мОм) при Vgs 10 В, Id 0.5·Id25. Заряд затвора Qg – 70 нКл при Vgs 10 В, Vds 0.5·Vdss, Id 0.5·Id25. Вхідна ємність Ciss типово 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Id 4 мА. Потужність розсіювання – 460 Вт при Tc 25 °C, час відновлення діода trr – до 200 нс, максимальна температура переходу – 150 °C.

Оригінал, демонтаж – деталь знята з плати, її перевіряє інженер тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни підходить N-канальний MOSFET у TO-247 з не меншою напругою Vds, достатнім струмом Id і не більшим Rds(on) за тих самих умов; якщо заряд затвора Qg удвічі більший, перевірте драйвер. За даними виробника, прямі заміни – IXFT30N50P, IXFV30N50P, IXFV30N50PS. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
60R060P7 канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×30 = 24, Rds(on) Vgs 10 В макс. 60 ≤ 1.3×165 = 215 мОм, корпус TO-247 = TO-247 Qg 67 нКл, менше за 70 нКл; Rds(on) вказано при Id 15.9 А, а не 0.5·Id25, тому порівнюйте з даташитом Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити IXFH30N50P?

У нашому каталозі є 60R060P7: Vds 600 В, Id 48 А, Rds(on) до 60 мОм, той самий корпус TO-247. Заряд затвора і драйвер порівняйте самостійно. За даними виробника, прямі заміни – IXFT30N50P, IXFV30N50P, IXFV30N50PS.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Як перевірити IXFH30N50P перед встановленням?

Мультиметром у режимі діода перевірте відсутність пробою між виводами, потім звіряйте вивід за виводом з даташитом: корпус TO-247. Параметри порівнюйте за однакових умов, наприклад Rds(on) при Vgs 10 В.

Який внутрішній діод у IXFH30N50P?

Швидкий: час зворотного відновлення trr до 200 нс.

Datasheet

Документація виробника: IXFH30N50P (Littelfuse/IXYS).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IXFH30N50P (Littelfuse/IXYS) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5