Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
282,00 ₴
13 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
13 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
65SL099A (AP65SL099AWL) – потужний N-канальний польовий транзистор у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
65SL099A (AP65SL099AWL) – N-канальний MOSFET виробника Advanced Power Electronics Corp (APEC), режим збагачення, корпус TO-247. Напруга Vds – 650 В (при Vgs 0 В, Id 250 мкА); на першій сторінці даташита вказано 700 В при максимальній температурі переходу. Струм стоку Id – 38 А при Tc 25 °C і Vgs 10 В. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 99 мОм при Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 103 нКл (типово) при Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В; максимум 165 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–5 В при Id 250 мкА. Максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж – деталь знята з плати, її перевіряє інженер тестером на пробій та обрив виводів. Замінюючи транзистор, беріть деталь того ж каналу в корпусі TO-247 з не меншою напругою Vds і струмом Id та не більшим Rds(on) за тих самих умов; заряд затвора Qg порівняйте з документацією, щоб драйвер затвора впорався. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення, перетворювачі DC-AC, швидкі сильнострумові ключі.
Чим замінити 65SL099A?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 650 В, Id не менше 38 А при Tc 25 °C і Rds(on) не більше 99 мОм при Vgs 10 В. Порівнюйте значення за однакових умов вимірювання і перевіряйте заряд затвора Qg.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Яка напруга Vds у 65SL099A?
650 В при Vgs 0 В і Id 250 мкА. На першій сторінці даташита вказано 700 В при максимальній температурі переходу; таке саме значення вказано в назві товару.
Для чого підходить 65SL099A?
Для імпульсних блоків живлення, перетворювачів DC-AC і швидких сильнострумових ключів. AP65SL099AWL – інше позначення цієї деталі з назви товару.
Документація виробника: AP65SL099AWL (Advanced Power Electronics Corp).
Значення струму стоку Id взято з документа виробника; перед заміною звірте його з даташитом.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP23N50L ( SiHFP23N50L ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Vishay |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 23 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А (VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 0.190 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 14 А) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 370 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 170 нс тип. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.