Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220
213,85 ₴
55 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
55 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор K20T60 (IKP20N60T) серії TRENCHSTOP з антипаралельним діодом у корпусі TO220. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (100 °C) | 28 А |
| Струм Ic (25 °C) | 41 А |
| Імпульсний струм Icp | 60 А |
| Vce(sat) | 1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 166 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
K20T60 (IKP20N60T) – IGBT-транзистор Infineon серії TRENCHSTOP у корпусі TO-220 (PG-TO220-3), з антипаралельним швидким діодом Emitter Controlled HE. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 28 А при TC = 100 °C і 41 А при TC = 25 °C. Vce(sat) – 1,5 В (typ) і 2,05 В (max) при VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C. Потужність розсіювання Ptot – 166 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Виробник вказує робочу частоту перемикання 2–20 кГц.
Оригінал. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg (120 нКл при VCC = 480 В, Ic = 20 А) і корпус; антипаралельний діод теж має бути. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Частотні перетворювачі
- Джерела безперебійного живлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити IKP20N60T?
Шукайте IGBT у корпусі TO-220 з антипаралельним діодом, з Vces не нижче 600 В та Ic при 100 °C не нижче 28 А. Порівняйте Vce(sat) і заряд затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Для яких частот перемикання підходить K20T60?
За даними сторінки виробника, серія TRENCHSTOP працює на частотах 2–20 кГц.
Скільки K20T60 витримує коротке замикання?
5 мкс при VGE = 15 В, VCC до 400 В, Tj до 150 °C.
Документація виробника: IKP20N60T, TRENCHSTOP Series, Rev. 2.8.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.