Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
Діодний міст D25XB80 (Заміна для TS25P06G )
133,48 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
Компактний діодний міст D25XB80 виробництва Shindengen у корпусі SIP (House Name: 5S) – для випрямлення в джерелах живлення з мережі 50 Гц.
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shindengen Electric Manufacturing |
| Повторювана напруга Vrrm | 800 В |
| Струм If(av) з радіатором | 25 А |
| Струм If(av) на платі | 3,5 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 350 А (1 цикл, Tj 25 °C) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,05 В (If 12,5 А) |
| Ізоляційна напруга Vdis | 2,5 кВ AC (1 хв) |
| Корпус | SIP (House Name: 5S), однорядне розташування виводів |
| Робоча температура | -40…+150 °C |
D25XB80 – діодний міст виробництва Shindengen Electric Manufacturing у компактному корпусі SIP (House Name: 5S) з однорядним розташуванням виводів. Повторювана напруга Vrrm – 800 В (50 Гц синусоїда, резистивне навантаження, з радіатором, Tc 98 °C). Середній прямий струм If(av) – 25 А з радіатором і 3,5 А на платі без радіатора (Ta 25 °C). Ударний прямий струм Ifsm – 350 А (один цикл, Tj 25 °C), I²t – 300 А²с. Пряме падіння напруги Vf – 1,05 В при If 12,5 А (імпульсне вимірювання, на діод). Ізоляційна напруга виводи-корпус Vdis – 2,5 кВ (AC, 1 хвилина), теплопровідність перехід-корпус Rth(j-c) – 1 °C/Вт з радіатором, робочий діапазон температур – від -40 до +150 °C.
Міст новий. D25XB80 може замінити TS25P06G – цю заміну підібрав інженер магазину, порівнявши datasheet обох деталей: корпус, розташування і призначення виводів однакові, параметри такі самі або кращі. Зворотна заміна (TS25P06G замість D25XB80) не завжди можлива. Взаємозамінність завжди перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя, в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Компактний мостовий випрямляч для джерел живлення: резистивне навантаження, живлення від мережі 50 Гц
D25XB80 може замінити TS25P06G?
Так, цю заміну підібрав інженер магазину, порівнявши datasheet: корпус, розташування і призначення виводів однакові, параметри такі самі або кращі. Зворотна заміна не завжди можлива – взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Хто виробник D25XB80?
Shindengen Electric Manufacturing – підтверджено офіційним даташитом виробника.
Для яких схем підходить D25XB80?
За даними виробника – компактний мостовий випрямляч для джерел живлення з резистивним навантаженням, живлення від мережі 50 Гц.
Який ударний струм витримує D25XB80?
Ударний прямий струм Ifsm – 350 А при одному циклі 50 Гц (Tj 25 °C), I²t – 300 А²с.
Документація виробника: D25XB80_Rev.02.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор H15R1203 ( IHW15N120R3 ) оригінал, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 30.0 А |
| Струм Ic (100 °C) | 15.0 А |
| Vce(sat) (15А/15В/25°C) | 1.48 В тип. / 1.70 В макс. |
| Пряма напруга діода Vf | 1.55 В тип. / 1.75 В макс. |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.1–6.4 В (тип. 5.8 В) |
| Розсіювана потужність Ptot | 254.0 Вт |
| Максимальна Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H20MR5 оригінал демонтаж б/в ( IHW20N120R5 )(заміна для 20N120IHR ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Позначення | IHW20N120R5 |
| Напруга Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм IC | 40 А (Tc 25 °C); 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 60 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE=15 В, IC=20 А, Tvj 25 °C) |
| Зворотний діод | є (монолітний) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1340 пФ |
| Ptot | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H20R1203 ( IHW20N120R3 ) оригінал, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Resonant Switching |
| Напруга V(BR)CES | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 0,50 мА) |
| Струм IC | 40 А (TC = 25 °C); 20 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм ICpuls | 60 А |
| Напруга насичення VCEsat | 1,48 В тип., 1,70 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Пряма напруга діода VF | 1,55 В тип., 1,75 В макс. (IF = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Порогова напруга VGE(th) | 5,8 В тип. (IC = 0,50 мА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора QG | 211 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1503 пФ |
| Розсіювана потужність Ptot | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,48 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Діодний міст RS207 ( заміна для KBP210 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Максимальна діюча напруга Vrms | 700 В |
| Максимальна постійна зворотна напруга Vdc | 1000 В |
| Максимальний середній струм If(AV) | 2 А (Ta 50 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 50 А |
| Пряме падіння напруги Vf | 1 В (при 1 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+125 °C |
| Корпус | KBP |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.