Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
69,56 ₴
85 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
85 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY4008P – силовий польовий N-канальний транзистор HUAYI на 80 В і 200 А у корпусі TO220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
HY4008P – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва HUAYI у корпусі TO-220FB-3L (в назві – TO220). У назві товару вказані також позначення HY4008 і HY4008NA2P. Напруга стік–витік Vds – 80 В при TC 25 °C. Струм стоку Id – 200 А при TC 25 °C (обмежений температурою переходу) і 144 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2.9 мОм типово і 3.5 мОм макс. при Vgs = 10 В і Ids = 100 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В (типово 3.0 В), заряд затвора Qg – 197 нКл при Vds = 64 В, Vgs = 10 В, Ids = 100 А. Вхідна ємність Ciss типово 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 345 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Для підбору заміни звіряйте канал, корпус і розпіновку, напругу Vds не нижче 80 В, струм Id і Rds(on) не гірші за наведені. Заряд затвора Qg у цієї деталі великий, тому при заміні перевіряйте, чи впорається драйвер затвора. Цей же документ описує варіанти HY4008M, HY4008B, HY4008PS і HY4008PM – вони відрізняються корпусом, тому порівнюйте корпус окремо.
Де застосовують
- Силові ключі
- Керування живленням в інверторних системах
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HY4008P?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією самою розпіновкою, з Vds не нижче 80 В, струмом Id і Rds(on) не гіршими. Порівнюйте параметри за документацією самостійно.
На який струм розрахований HY4008P?
Id – 200 А при TC 25 °C (обмежений температурою переходу) і 144 А при TC 100 °C. Реальний струм залежить від охолодження.
Як перевірити MOSFET перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів: перевірте діод між стоком і витоком і те, що між затвором та іншими виводами немає провідності.
Документація виробника: HY4008P (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор MD1803DFX оригінал демонтаж ( ST1803DFX , ST1803DHI , SY1803 , MD2009DFX )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN з вбудованим діодом |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 10 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 2 В (макс., IC = 5 А, IB = 1,25 А) |
| hFE | 5,5–7,5 (IC = 5 А, VCE = 5 В) |
| Vf діода | 1,6 В (макс., IF = 5 А) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, виводи – радіатор) |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.