Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор K50EF5 ( IKW50N65F5 ) демонтаж б/в, TO247
216,20 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
K50EF5 (IKW50N65F5) – IGBT-транзистор Infineon з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-247. Демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Маркування | K50EF5 |
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено виводами) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 56 А |
| Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C) | 1,60 В типово |
| Вбудований діод | є (RAPID1) |
| Ptot (Tc 25 °C) | 305 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
K50EF5 – маркування на корпусі IGBT-транзистора IKW50N65F5 виробництва Infineon. Це IGBT з антипаралельним діодом (RAPID1, швидкий, м'який) у корпусі PG-TO247-3 (TO-247). Напруга колектор-емітер Vce – 650 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C (обмежено виводами) і 56 А при Tc 100 °C. Vce(sat) – 1,60 В типово при Vge 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C. Заряд затвора Qg – 120 нКл при Vcc 520 В, Ic 50 А, Vge 15 В. Потужність розсіювання Ptot – 305 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tvj – 175 °C. Виводи: 1 – затвор, 2 і фланець – колектор, 3 – емітер.
Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Товар – демонтаж б/в. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vce, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус; взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, склад у Запоріжжі.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Зварювальні перетворювачі
- Перетворювачі із середньою та високою частотою перемикання
Чим замінити K50EF5 (IKW50N65F5)?
Порівняйте за datasheet напругу Vce (650 В), струм Ic при Tc 100 °C (56 А), Vce(sat), наявність вбудованого діода і корпус TO-247. Взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Це нова деталь чи демонтаж?
Демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Яке розташування виводів?
1 – затвор, 2 і фланець – колектор, 3 – емітер.
Чи є в цього IGBT вбудований діод?
Так, антипаралельний діод RAPID1, швидкий і м'який. Струм діода If – 40 А при Tc 25 °C (обмежено виводами) і 27 А при Tc 100 °C.
Документація виробника: IKW50N65F5 Datasheet, Rev. 2.1.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon (IKW50N65F5, Rev. 2.1, 2015-05-05).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.