Транзистори

Показано 321–360 із 1559

Показати 20 40 80

Транзистор 2SD1403

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo7 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic6 А (безперервний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm16 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc120 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А)
Коефіцієнт підсилення hFE (мін.)8 (Ic 1 А, Vce 5 В)

Транзистор 2SD1427

В наявності

80,37 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Корпус2-16D1A (Toshiba)
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo600 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic5 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc80 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE (мін.)8 (Vce 5 В, Ic 1,0 А)
Вбудований демпферний діодє
Пряма напруга демпферного діода Vf2,0 В макс. (If 5 А)

Транзистор 2SD1525 ( D1525 ) оригінал демонтаж, TO264

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN Дарлінгтон
Напруга Vceo100 В (Ic 30 мА, Ib 0)
Струм колектора Ic30 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd150 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE1000 (мін.) при Ic 20 А, Vce 5 В
Vce(sat)1,5 В (макс.) при Ic 20 А, Ib 0,2 А
КорпусTO-264
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD1541

В наявності

135,83 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3PFa
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений, Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (колектор розімкнений, Ta 25 °C)
Струм Ic3 А (Tc 25 °C)
Імпульсний струм Icm10 А
Потужність Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj130 °C
Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 2 А, Ib 0,75 А, Tj 25 °C)
hFE4–12 (Ic 2 А, Vce 10 В)
Демпферний діодє, Vf 2,2 В (Ic −4 А)

Транзистор 2SD1545

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3P(H)IS
Напруга Vceo600 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo5 В (колектор розімкнений)
Струм Ic5 А (постійний, Ta 25 °C)
Струм бази Ib2,5 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tj 25 °C)
hFE8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В)
fT3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В)

Транзистор 2SD1546

В наявності

94,94 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3P(H)IS
Напруга Vceo600 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo5 В (колектор розімкнений)
Струм Ic6 А (постійний, Ta 25 °C)
Струм бази Ib3 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А, Tj 25 °C)
hFE8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В)
fT3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В)

Транзистор 2SD1554 оригінал

В наявності

48,41 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
Напруга Vceo600 В
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic3.5 А
Потужність Pc40 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P(H)IS
СтанОригінал

Транзистор 2SD1555 оригінал демонтаж

В наявності

64,39 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
Напруга Vceo600 В
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic5 А
Потужність Pc50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P(H)IS
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD1557 ( D1557 , 3DD1557) оригінал демонтаж (заміна для 2SD2586 , 2SD2580 )

В наявності

103,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникJSMC
Напруга Vcbo1700 В
Напруга Vceo830 В
Напруга Vebo8 В
Струм колектора Ic10 А
Імпульсний струм Icp20 А
Потужність Pc50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD1577

В наявності

98,23 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-3PFa
ВиробникSavantIC
Напруга колектор–база Vcbo1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo700 В
Напруга емітер–база Vebo6 В
Струм колектора Ic5 А
Імпульсний струм колектора Icm17 А
Струм бази Ib3.5 А
Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C)100 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Vce(sat) макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А)2.0 В
hFE (Ic 2 А, Vce 10 В)4–15

Транзистор 2SD1624 ( 2SD1624G , 2SD1624G-S-AB3-R , 2SD1624L ) оригінал, sot89

В наявності

34,78 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникUTC (Unisonic Technologies)
Напруга Vceo50 В (TA 25 °C)
Напруга Vcbo60 В (TA 25 °C)
Напруга Vebo6 В (TA 25 °C)
Струм колектора Ic (DC)3 А (TA 25 °C)
Імпульсний струм Icp6 А (TA 25 °C)
Потужність Pc500 мВт (TA 25 °C)
Tj max150 °C
hFE100–560 (Vce 2 В, Ic 100 мА)
Vce(sat)0,19 В typ, 0,5 В max (Ic 2 А, Ib 100 мА)
Гранична частота fT150 МГц typ (Vce 10 В, Ic 50 мА)
Ємність Cob25 пФ typ (Vce 10 В, f 1 МГц)
КорпусSOT-89
СтанОригінал

Транзистор 2SD1650

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-3PML
ВиробникSavantIC
Напруга колектор–база Vcbo1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo800 В
Напруга емітер–база Vebo6 В
Струм колектора Ic3.5 А
Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C)50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Vbe(sat) (Ic 2.5 А, Ib 0.8 А)1.5 В
hFE мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В)8
Гранична частота fT (Ic 0.5 А, Vce 10 В)3 МГц
Вбудований демпферний діодє
Vf діода (If 3.5 А)2.0 В

Транзистор 2SD1691L

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникUTC (Unisonic Technologies)
Напруга колектор–емітер Vceo60 В
Напруга колектор–база Vcbo60 В
Напруга емітер–база Vebo7 В
Струм колектора Ic5 А
Імпульсний струм Icp (PW ≤10 мс, шпаруватість ≤50 %)8 А
Струм бази Ib1 А
Макс. температура переходу Tj150 °C
Vce(sat) макс. (Ic 2 А, Ib 0.2 А)0.3 В
hFE (Ic 2 А, Vce 1 В)160–400
hFE мін. (Ic 5 А, Vce 2 В)50

Транзистор 2SD1710 оригінал демонтаж

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSPTECH
Напруга колектор–база Vcbo1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo800 В
Напруга емітер–база Vebo6 В
Струм колектора Ic5 А (постійний)
Імпульсний струм Icp16 А
Потужність розсіювання Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5.0 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А, Tc 25 °C)
Напруга насичення база–емітер Vbe(sat)1.5 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А)
Коефіцієнт підсилення hFE8 мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В)
Час спаду tf0.5 мкс макс. (Ic 4 А, Ib1 0.8 А, Ib2 1.6 А)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD1711

В наявності

62,98 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3PML
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (база розімкнена)
Напруга емітер–база Vebo5 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic5 А (постійний)
Потужність розсіювання Pc100 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5.0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0.8 А, Tj 25 °C)
Напруга насичення база–емітер Vbe(sat)1.5 В (Ic 4 А, Ib 0.8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE10–40 (Ic 0.5 А, Vce 5 В)
Вбудований демпферний діодє

Транзистор 2SD1876

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSANYO
КорпусTO-3PML
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic3 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp12 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А, Ta 25 °C)
Напруга насичення Vbe(sat)1,5 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А, Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE18 (Vce 5 В, Ic 0,5 А, Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE23–6 (Vce 5 В, Ic 2 А, Ta 25 °C)
Пряма напруга демпферного діода Vf2,0 В (Iec 3 А, Ta 25 °C)
Час спаду tf0,1 мкс тип., 0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,8 А, Ib2 –1,6 А)
Струм відсічки Ices1,0 мА (Vce 1500 В, Ta 25 °C)
Вбудований діодє

Транзистор 2SD1883 оригінал

В наявності

52,64 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSANYO
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic4 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp12 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc50 Вт (Ta 25 °C)
Tj макс.150 °C
Vce(sat) макс.5 В (Ic 2,5 А, Ib 0,8 А)
hFE1 мін.8 (Vce 5 В, Ic 0,5 А)
КорпусTO-3PML
СтанОригінал

Транзистор 2SD1884

В наявності

64,39 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSANYO
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C)
Струм Ic5 А (Ta 25 °C), імпульсний Icp 20 А
Потужність Pc60 Вт (Ta 25 °C)
Tj макс.150 °C
Vce(sat)5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
hFE18 мін. (Vce 5 В, Ic 1 А)
КорпусTO-3PML

Транзистор 2SD1887 оригінал (Заміна 2SD1884 )

В наявності

65,80 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic10 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp30 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc70 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
Vce(sat) макс.5,0 В (Ic 8 А, Ib 1,6 А)
hFE1 мін.8 (Ic 1 А, Vce 5 В)
КорпусTO-3PML
СтанОригінал

Транзистор 2SD200(3DD200) , TO-3

В наявності

52,17 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
Напруга Vceo600 В (база відкрита)
Напруга Vcbo1500 В (емітер відкритий)
Напруга Vebo6 В (колектор відкритий)
Струм колектора Ic2,5 А
Потужність Pc10 Вт (Tc 90 °C)
Tj макс.150 °C
Vce(sat) макс.8,0 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А)
hFE1 мін.8 (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
КорпусTO-3

Транзистор 2SD200(3DD200) демонтаж , TO-3

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo600 В
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vebo6 В
Струм колектора Ic2,5 А
Потужність Pc10 Вт при Tc 90 °C
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3
СтанДемонтаж б/в

Транзистор 2SD2012

В наявності

33,84 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo60 В
Напруга Vcbo60 В
Напруга Vebo7 В
Струм колектора Ic3 А
Потужність Pc2 Вт при Ta 25 °C
hFE100–320 при VCE=5 В, IC=0,5 А
Vce(sat)1 В макс. при IC=2 А, IB=0,2 А
КорпусTO-220F

Транзистор 2SD2059 , TO220F оригінал

В наявності

63,92 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo100 В
Напруга Vcbo100 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic5 А при Ta 25 °C
Потужність Pc30 Вт при Tc 25 °C
hFE40–240 при IC=1 А, VCE=5 В
Vce(sat)2,0 В макс. при IC=4 А, IB=0,4 А
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор 2SD2061 , TO220F

В наявності

39,01 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo60 В (IC=1 мА, IB=0; Ta 25 °C)
Струм колектора Ic3 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pc2 Вт (Ta 25 °C)
hFE100–320 (VCE=5 В, IC=0,5 А)
Vce(sat)1 В макс. (IC=2 А, IB=0,2 А)
fT8 МГц (VCE=5 В, IC=0,5 А, f=5 МГц)
КорпусTO-220F

Транзистор 2SD207 (3DD207) демонтаж , TO-3

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo100 В (VCEO(SUS) мін., IC=10 мА, IB=0)
Напруга Vcbo100 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic10 А (постійний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp20 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc150 Вт (Tc 25 °C)
hFE60–200 (IC=1 А, VCE=5 В)
Vce(sat)1,5 В макс. (IC=5 А, IB=0,5 А)
fT5,0 МГц мін. (IC=0,5 А, VCE=10 В, f=1 МГц)
КорпусTO-3
СтанДемонтаж б/в

Транзистор 2SD2089

В наявності

115,15 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN з демпферним діодом
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo600 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic3,5 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pc40 Вт (Tc 25 °C)
hFE9–18 (IC=0,5 А, VCE=5 В)
Vce(sat)1,0 В макс. (IC=2,2 А, IB=0,7 А)
VECF1,5 В макс. (IF=2,2 А)
tf0,5 мкс макс.
КорпусTO-3P(H)IS

Транзистор 2SD209L ( D209L , 3DD209L ) оригінал, TO-3P

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Vceo400 В (Ic 10 мА, Ib 0; Tc 25 °C)
Vces700 В (Vbe 0; Tc 25 °C)
Vebo9 В
Ic12 А (Tc 25 °C), імпульсний Icp 24 А (5 мс)
Pc120 Вт (Tc 25 °C)
hFE8–40 (Vce 5 В, Ic 5 А)
Vce(sat)макс. 1,2 В (Ic 5 А, Ib 1 А)
fTмін. 4 МГц (Vce 10 В, Ic 0,5 А)
Tj max150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор 2SD210L ( D210L ), TO3P

В наявності

75,67 ₴
ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Транзистор 2SD2153 , SOT-89 (25V,2A,0.5W)

В наявності

91,65 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Vceo25 В (Ta 25 °C)
Vcbo30 В (Ta 25 °C)
Vebo6 В (Ta 25 °C)
Ic2 А (Ta 25 °C), імпульсний Icp 3 А (10 мс)
Pc0,5 Вт (Ta 25 °C)
hFE560–2700 (Vce 6 В, Ic 500 мА)
Vce(sat)макс. 0,5 В (Ic 1 А, Ib 20 мА)
fT110 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Cob22 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Tj max150 °C
КорпусSOT-89

Транзистор 2SD2375

В наявності

61,10 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникPanasonic
Vceo60 В (Ic 25 мА, Ib 0)
Vcbo80 В (Tc 25 °C)
Vebo6 В (Tc 25 °C)
Ic3 А (Tc 25 °C), піковий Icp 6 А
Pc25 Вт (Tc 25 °C)
hFE500–1500 (Vce 4 В, Ic 0,5 А)
Vce(sat)макс. 1 В (Ic 2 А, Ib 0,05 А)
fTтип. 50 МГц (Vce 12 В, Ic 0,2 А, f 10 МГц)
Tj max150 °C
КорпусTO-220D-A1 (full-pack)

Транзистор 2SD2390 + 2SB1560 ( D2390 + B1560 ) оригінали, TO-3P

В наявності

343,10 ₴
ПараметрЗначення
Типкомплементарна пара NPN Дарлінгтон (2SD2390) + PNP (2SB1560)
КорпусTO-3P
Vceo (2SD2390)150 В, Ta 25 °C
Vcbo (2SD2390)160 В, Ta 25 °C
Vebo (2SD2390)5 В, Ta 25 °C
Ic (2SD2390)10 А безперервний, Ta 25 °C
Pc (2SD2390)100 Вт, Tc 25 °C
Tj макс. (2SD2390)150 °C
hFE (2SD2390)5000 (мін.), Ic 7 А, Vce 4 В
Vce(sat) (2SD2390)2.5 В (макс.), Ic 7 А, Ib 7 мА
fT (2SD2390)55 МГц, Ie -2 А, Vce 12 В
СтанОригінал

Транзистор 2SD2494

В наявності

136,77 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN Дарлінгтон
ВиробникSanken
Напруга Vcbo110 В
Напруга Vceo110 В (мін., Ic 30 мА)
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic6 А
Потужність Pc60 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE5000 (мін., Vce 4 В, Ic 5 А)
Напруга насичення Vce(sat)2,5 В (макс., Ic 5 А, Ib 5 мА)
Гранична частота fT60 МГц (тип.)
Макс. температура переходу Tj150 °C

Транзистор 2SD2495

В наявності

125,49 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN Дарлінгтон
ВиробникJMnic
КорпусTO-220F
Напруга Vcbo110 В
Напруга Vceo110 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic6 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc30 Вт (Tc 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)2,5 В (макс., Ic 5 А, Ib 5 мА, Tj 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C

Транзистор 2SD2498 оригінал

В наявності

36,66 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникToshiba
КорпусTOSHIBA 2-16E3A
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vceo600 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic (DC)6 А (імпульс Icp 12 А)
Потужність Pc50 Вт
Коефіцієнт підсилення hFE10–30 (Vce 5 В, Ic 1 А); 5–9 (Vce 5 В, Ic 4 А)
Напруга насичення Vce(sat)5 В (макс., Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Гранична частота fT2 МГц (тип.)
СтанОригінал

Транзистор 2SD2539 оригінал демонтаж

В наявності

43,71 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, вбудований демпферний діод
ВиробникToshiba
КорпусTOSHIBA 2-16E3A
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vceo600 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic (DC)7 А (імпульс Icp 14 А)
hFE8–28 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Vce(sat)5 В макс. (Ic 5 А, Ib 1,0 А)
Гранична частота fT2 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD2560+2SB1647 ( D2560+B1647 ) оригінали

В наявності

404,20 ₴
ПараметрЗначення
2SD2560: виробникSanken
2SD2560: типNPN Дарлінгтон
2SB1647: типPNP Дарлінгтон
2SD2560: напруга VCEO (Ta 25 °C)150 В
2SD2560: струм колектора IC (Ta 25 °C)15 А
2SD2560: потужність PC (Tc 25 °C)130 Вт
2SD2560: hFE (мін., IC 10 А, VCE 4 В)5000
2SD2560: VCE(sat) (макс., IC 10 А, IB 10 мА)2,5 В
2SD2560: Tj (макс.)150 °C
СтанОригінал

Транзистор 2SD2689 оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, кремнієвий
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo700 В (Ic 50 мА, Ib 0, Tj 25 °C)
Струм колектора Ic10 А (безперервний)
Імпульсний струм Icm25 А
Потужність Pt35 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Vce(sat)3 В макс. (Ic 7,2 А, Ib 1,44 А)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор 2SD3402 ( 3DD3402 , D3402 ) оригінал демонтаж

В наявності

62,04 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1700 В (Tc 25 °C)
Напруга Vceo600 В (Tc 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic8 А (Tc 25 °C, імпульс Icp 16 А)
Потужність Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Tj max150 °C
hFE10–30 (Vce 5 В, Ic 1 А, Tc 25 °C)
Vce(sat)5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А)
Гранична частота fT1,7 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD400

В наявності

15,51 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, епітаксіально-планарний кремнієвий
ВиробникSANYO
КорпусTO-92MOD
Напруга Vcbo25 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo25 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic1 А (Ta 25 °C, імпульс Icp 2 А)
Потужність Pc900 мВт (Ta 25 °C)
Tj max150 °C
hFE60–560 (Vce 2 В, Ic 50 мА)
Vce(sat)0,3 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Гранична частота fT180 МГц (Vce 10 В, Ic 50 мА)
Вихідна ємність Cob15 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц)

Транзистор 2SD5023 (3DD5023) оригінал , TO220F

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникJILIN SINO-MICROELECTRONICS
Напруга BVcbo1500 В (Tc 25 °C)
Напруга BVceo600 В (Tc 25 °C)
Напруга BVebo6 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic6 А (Tc 25 °C, імпульс Icp 12 А)
Потужність Pc35 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE10–30 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Vce(sat)5 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,6 А)
КорпусTO-220F
СтанОригінал