Транзистори
Транзистор 2SD2553 оригінал
Немає в наявності
45,12 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор-база Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер-база Vebo | 5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (DC, Tc 25 °C; імпульсний Icp 16 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8–28 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А) |
| Пряма напруга демпферного діода Vf | 2,0 В макс. (If 8 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Вихідна ємність Cob | 155 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SD2560+2SB1647 оригінали демонтаж
Немає в наявності
143,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Darlington (2SD2560) |
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vceo | 150 В (мін. при Ic = 30 мА) |
| Напруга Vcbo | 150 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 15 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 5000 (мін., Vce = 4 В, Ic = 10 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,5 В (макс., Ic = 10 А, Ib = 10 мА) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 70 МГц (тип., Vce = 12 В, Ie = –2 А) |
| Вихідна ємність Cob | 120 пФ (тип., Vcb = 10 В, f = 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD2578 оригінал
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Sanyo |
| Корпус | TO-3PML |
| Напруга Vceo | 800 В (мін. при Ic = 100 мА, Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Ta 25 °C; імпульсний Icp 20 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–30 (Vce = 5 В, Ic = 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В (макс., Ic = 5 А, Ib = 1 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В (макс., Ic = 5 А, Ib = 1 А) |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс (макс., Ic = 4 А, Ib1 = 0,8 А, Ib2 = –1,6 А) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2599
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 3,5 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 7 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8–25 (Vce 5 В, Ic 0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В тип., 8 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,8 А) |
| Гранична частота fT | 3 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор 2SD5703 ( KSD5703 ) оригінал
Немає в наявності
64,86 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-3PML |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 30 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5.0 В макс. (Ic 8 А, Ib 1.6 А, Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–40 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 0.3 мкс макс. (Ic 6 А, Ib1 1.2 А, Ib2 -2.4 А, Rl 33.3 Ом, Vcc 200 В, Tc 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD669AL (2SD669AC )
Немає в наявності
9,87 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Напруга Vcbo | 200 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 170 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6.5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 1 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–320 (Vce 5 В, Ic 0.15 А, Ta 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.9 В макс. (Ic 0.5 А, Ib 0.05 А, Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 140 МГц типово (Vce 5 В, Ic 150 мА, Ta 25 °C) |
| Ємність Cob | 14 пФ типово (Vcb 10 В, f 1 МГц, Ta 25 °C) |
Транзистор 2SK170
Немає в наявності
27,26 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (JFET) |
| Напруга Vgds | -40 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Idss | 2,6–20 мА (Vds=10 В, Vgs=0; GR 2,6–6,5, BL 6,0–12, V 10–20 мА) |
| Напруга відсічки Vgs(off) | -0,2…-1,5 В (Vds=10 В, Id=0,1 мкА) |
| Крутизна |Yfs| | 22 мСм (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 кГц) |
| Вхідна ємність Ciss | 30 пФ (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 МГц) |
| Прохідна ємність Crss | 6 пФ (тип., Vdg=10 В, Id=0, f=1 МГц) |
| Шум En | 0,95 нВ/√Гц (тип., Vds=10 В, Id=1 мА, f=1 кГц) |
| Струм витоку затвора Igss | -1,0 нА (макс., Vgs=-30 В, Vds=0) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SK2749 , TO-218
Немає в наявності
98,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-218 |
| Напруга Vdss | 900 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (Ta 25 °C) |
| Струм стоку імпульсний Idp | 21 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 1,6 Ом тип., 2,0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Напруга затвор-витік Vgss | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Крутизна |Yfs| | 5,0 См тип. (Vds 10 В, Id 3,5 А) |
Транзистор 2SK2843 , TO220F
Немає в наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (серія π-MOSV) |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 10 А; імпульсний 40 А |
| Опір Rds(on) | 0,54 Ом (тип., макс. 0,75; Vgs=10 В, Id=5 А, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds=10 В, Id=1 мА) |
| Крутизна |Yfs| | 9,0 См (тип., Vds=10 В, Id=5 А) |
| Енергія лавинного пробою Eas | 363 мДж (Vdd=90 В, Tch 25 °C, L=6,36 мГн, Iar=10 А) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SK3067
Немає в наявності
46,53 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, серія π-MOSV |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 2 А (Tc 25 °C; імпульсний 5 А за 1 мс, 8 А за 100 мкс) |
| Опір Rds(on) | 4,2 Ом тип., макс. 5,0 Ом (Vgs 10 В, Id 1 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 9 нКл тип. (Vdd≈480 В, Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 380 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
Транзистор 2SK3114 (600V,4A,30W,1.6R)
Немає в наявності
62,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (DMOS) |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0, Ta 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Vds 0) |
| Струм Id | 4,0 А (Tc 25 °C; імпульсний 16 А, PW ≤10 мкс, шпаруватість ≤1 %) |
| Опір Rds(on) | макс. 2,2 Ом, тип. 1,6 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А, Ta 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл тип. (Vdd 450 В, Vgs 10 В, Id 4,0 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 550 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Потужність Pt | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | NEC |
Транзистор 2SK3115 (2SK3115B) , TO220F
Немає в наявності
39,01 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Vds 0 В) |
| Струм Id | 6,0 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 24 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Опір Rds(on) | макс. 1,2 Ом, тип. 0,9 Ом (Vgs 10 В, Id 3,0 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 21 нКл тип. (Vdd 450 В, Vgs 10 В, Id 6,0 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1090 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | NEC Electronics (Renesas Electronics) |
Транзистор 2SK3264 (800V,7A,60W) , TO220F
Немає в наявності
46,06 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 800 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 28 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 2.0 Ом макс. (типово 1.62 Ом; ID 3.5 А, VGS 10 В, Tch 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (типово 4.0 В; ID 1 мА) |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Fuji Electric |
Транзистор 2SK3530
Немає в наявності
71,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 28 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.9 Ом (VGS 10 В, ID 3.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID 0.25 мА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Потужність Pd | 70 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SK3918 , D-PAK
Немає в наявності
17,39 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 25 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 192 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Опір Rds(on) | 7.5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 24 А) |
| Потужність Pd | 29 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (типово) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В (VDS = 0 В) |
| Енергія лавини Eas | 48 мДж (IAS 22 А) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NEC Electronics (Renesas Electronics) |
Транзистор 50R380P ( MMD50R380P ) оригінал (550V,11A), DPAK
Немає в наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C; 550 В при Tj max) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 6.95 А |
| Опір Rds(on), тип. | 0.35 Ом (VGS=10 V, ID=3.8 A, Tc 25 °C; макс. 0.38 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 3.0 В (2.5–3.5 В) (VDS=VGS, ID=0.25 mA) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 21.8 нКл (VGS=10 V, VDS=400 V, ID=11 A) |
| Потужність Pd | 83 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 5N3011 оригінал демонтаж, TO-3P
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 300 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 88 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 176 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Опір Rds(on) | 0.048 Ом макс.; тип. 0.042 (ID 44 А, VGS 10 В) |
| Порогова напруга Vgs(off) | 3.0–4.5 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.; VDD 240 В, VGS 10 В, ID 88 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (тип.; VDS 25 В, VGS 0, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 0.833 °C/Вт |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 60S180P7 ( IPA60R180P7S ) оригінал, TO220F
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 53 А (TC = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,145 Ом тип., 0,180 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,6 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В, тип. 3,5 В (VDS = VGS, ID = 0,28 мА) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (VDD = 400 В, ID = 5,6 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Ptot | 26 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція корпусу | 2500 В ефект. (TC = 25 °C, t = 1 хв) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65R048M1 ( IMZA65R048M1H ) оригінал, PG-TO247-4-3
Немає в наявності
423,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (Tj = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 39 А (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 24 А (Tc = 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 48 мОм тип., 64 мОм макс. (VGS = 18 В, ID = 20.1 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–5.7 В, тип. 4.5 В (VDS = VGS, ID = 6 мА) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип. (VDD = 400 В, ID = 20.1 А, VGS = 0–18 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO247-4 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 6R199P ( IPP60R199CP ) оригінал демонтаж, TO220
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.; 650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 10 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,199 Ом макс., 0,18 Ом тип. (VGS 10 В, ID 9,9 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 43 нКл макс. (VDD 400 В, ID 9,9 А, VGS 0…10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 139 Вт (TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип. (2,5–3,5 В; VDS = VGS, ID 0,66 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (VSD 0,9 В, макс. 1,2 В при IF 9,9 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 70N60DM2 ( STW70N60DM2 , 70N60M2 , STW70N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247( 600V, 66A , 0.042R )
Немає в наявності
221,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vds | 600 В (Vgs 0 В, Id 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 66 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 42 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 37 мОм (тип.), 42 мОм (макс.); Vgs 10 В, Id 33 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 / 4 / 5 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (тип.; Vdd 480 В, Id 66 А, Vgs 0…10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 446 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55…150 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 150 нс (тип.; Isd 66 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В; 250 нс при Tj 150 °C) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vsd | 1.6 В (макс.; Vgs 0 В, Isd 66 А) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 72N60DM2 ( STW72N60DM2 , 72N60M2 , STW72N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247( 600V, 66A )
Немає в наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (MDmesh DM2, швидкий діод) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 66 А (Tc 25 °C), 42 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 37 мОм тип., 42 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 33 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–5 В, тип. 4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (Vdd 480 В, Id 66 А, Vgs 0–10 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 446 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 150 нс (Isd 66 А, dI/dt 100 А/мкс, Vdd 480 В, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | швидкий (fast-recovery), Vsd макс. 1,6 В при Isd 66 А |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор AF4502C (30V,10A,-8.5A,2.1W) ( AO4620 )
Немає в наявності
31,49 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Anachip |
| Тип каналу | N + P (комплементарна пара) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds (N-канал) | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vds (P-канал) | -30 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм Id (N-канал) | 10 А (TA 25 °C, на платі 1″x1″ FR4) |
| Струм Id (P-канал) | -8.5 А (TA 25 °C, на платі 1″x1″ FR4) |
| Струм Id (N-канал, TA 70 °C) | 8.1 А |
| Опір Rds(on) N-канал | 11 мОм тип. / 13.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Опір Rds(on) P-канал | 16 мОм тип. / 19 мОм макс. (VGS = -10 В, ID = -8.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) N-канал | 1.95 В тип. (1–3 В; VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Порогова напруга Vgs(th) P-канал | -1.6 В тип. (-1 – -3 В; VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Заряд затвора Qg (N-канал) | 12 нКл тип. / 19 нКл макс. (VDS = 15 В, VGS = 4.5 В, ID = 10 А) |
| Потужність Pd | 2.1 Вт (TA 25 °C; 1.3 Вт при TA 70 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55 – 150 °C) |
Транзистор AO3401A , sot23
Немає в наявності
15,51 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Тип каналу | P |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм Id | -4 А (TA 25 °C; -3.2 А при TA 70 °C) |
| Опір Rds(on) при VGS -10 В | 41 мОм тип. / 50 мОм макс. (ID = -4 А) |
| Опір Rds(on) при VGS -4.5 В | 47 мОм тип. / 60 мОм макс. (ID = -3.5 А) |
| Опір Rds(on) при VGS -2.5 В | 60 мОм тип. / 85 мОм макс. (ID = -2.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -0.9 В тип. (-0.5 – -1.3 В; VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 14 нКл (VGS = -10 В, VDS = -15 В, ID = -4 А; 7 нКл при VGS = -4.5 В) |
| Потужність Pd | 1.4 Вт (TA 25 °C; 0.9 Вт при TA 70 °C) |
| Напруга Vgs | ±12 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55 – 150 °C) |
Транзистор AOD405 (D405) p-канал (30V,18A)
Немає в наявності
29,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм Id | -18 А (VGS -10 В, TA 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 24.5 мОм тип. / 32 мОм макс. (VGS -10 В, ID -18 А) |
| Заряд затвора Qg | 18.7 нКл тип. / 23 нКл макс. (VGS -10 В, VDS -15 В, ID -18 А) |
| Потужність Pd | 60 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AOD452 (AOD452A) , D-PAK
Немає в наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА; TJ = 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (70 °C) | 60 А (TC = 70 °C, TJ = 175 °C) |
| Опір Rds(on) при 10 В | 0,005 Ом (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 0,006 Ом (VGS = 4,5 В) |
| Заряд затвора Qg | 31 нКл |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 205 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
Транзистор AOD458 ( D458 ) , D-PAK (250V , 14A , n-канал)(Заміна для KF5N25D )
Немає в наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 250 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В, TJ = 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 14 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 10 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,22 Ом тип., 0,28 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 7 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В, тип. 3,8 В (VDS = 5 В, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 12 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 200 В, ID = 14 А) |
| Потужність Pd | 150 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
Транзистор AOD5N50 ( D5N50 , 5N50 ) , D-PAK
Немає в наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (ID=250 µA, VGS=0 V, Tj 25 °C; 600 В при Tj 150 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 3.1 А |
| Опір Rds(on), тип. | 1.2 Ом (VGS=10 V, ID=2.5 A, Tj 25 °C; макс. 1.6 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 4.1 В (3.4–4.5 В) (VDS=5 V, ID=250 µA) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 11.5 нКл (VGS=10 V, VDS=400 V, ID=5 A) |
| Потужність Pd | 104 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Вбудований діод | є (Vsd тип. 0.76 В, макс. 1 В при Is=1 A, VGS=0 V) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AP40T03GH ( 40T03GH ) , D-PAK
Немає в наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 28 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 24 А (TA = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при 10 В | 25 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 18 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 45 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 8,8 нКл тип. (ID = 18 А, VDS = 20 В, VGS = 4,5 В) |
| Потужність Pd | 31,25 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор AP88N30W ( 88N30W ) оригінал , TO-3P
Немає в наявності
141,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp. |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 300 В (VGS = 0 В, ID = 10 мА) |
| Струм Id | 88 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 48 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 44 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл тип., 250 нКл макс. |
| Потужність Pd | 150 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP9971GD ( 9971D- маркування ) , DIP8
Немає в наявності
46,53 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp. |
| Тип | Здвоєний MOSFET N-канал |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 5 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (70 °C) | 3,2 А (TA = 70 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 50 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 60 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 2,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор APM4052D ( APM4052DU ) (40V,7.5A,6A) , TO252
Немає в наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N + P (комплементарна пара) |
| Напруга Vds (N-канал) | 40 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Напруга Vds (P-канал) | -40 В (VGS = 0 В, IDS = -250 мкА) |
| Струм Id (N-канал, Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (P-канал, Tc 25 °C) | -18 А |
| Опір Rds(on) (N-канал) | 30 мОм (VGS = 10 В, IDS = 7.5 А, Tj 25 °C) |
| Опір Rds(on) (P-канал) | 40 мОм (VGS = -10 В, IDS = -6 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252-4 (DPAK, 4 виводи) |
Транзистор APM4546 , DIP8
Немає в наявності
33,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Anpec Electronics |
| Тип | Комплементарна пара MOSFET (N + P) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds N-канал | 30 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Напруга Vds P-канал | -30 В (VGS = 0 В, IDS = -250 мкА) |
| Опір Rds(on) N-канал | 20 мОм тип., 26 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 8 А) |
| Опір Rds(on) N-канал при 4,5 В | 27 мОм тип., 36 мОм макс. (VGS = 4,5 В, IDS = 5 А) |
| Опір Rds(on) P-канал | 38 мОм тип., 50 мОм макс. (VGS = -10 В, IDS = -6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) N-канал | 0,8–2 В, тип. 1,5 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg N-канал | 18,6 нКл тип., 25 нКл макс. (VDS = 15 В, VGS = 10 В, IDS = 8 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор APM4568 ( APM4568J ) , DIP8
Немає в наявності
55,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | Комплементарна пара: N-канал і P-канал |
| Напруга Vds (N / P) | 40 / -40 В (V(BR)DSS при VGS = 0 В, IDS = ±250 мкА) |
| Струм стоку Id (N / P) | 7,5 / -6 А (VGS = 10 В (N), VGS = -10 В (P); TA 25 °C) |
| Опір Rds(on), N-канал | 21 мОм тип., 29 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 7,5 А) |
| Опір Rds(on), P-канал | 36 мОм тип., 50 мОм макс. (VGS = -10 В, IDS = -6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th), N-канал | 1,3 / 2 / 2,5 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg, N-канал | 20 нКл тип., 28 нКл макс. (VDS = 20 В, VGS = 10 В, IDS = 7,5 А) |
| Потужність Pd | 2,5 Вт (TA 25 °C, на платі 1 дюйм²) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
Транзистор APM4953 ( FDS4953 ) , so-8
Немає в наявності
26,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | P-канал, 2 транзистори в корпусі |
| Напруга Vds | -30 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА) |
| Струм Id | -5,8 А (TA=25 °C); -4,5 А (TA=75 °C) |
| Rds(on) | 40 мОм тип., 60 мОм макс. (VGS=-10 В, ID=-5 А) |
| Rds(on) при VGS=-4,5 В | 55 мОм тип., 80 мОм макс. (ID=-4 А) |
| Vgs(th) | -1…-2 В, тип. -1,5 В (VGS=VDS, ID=-250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 9,2 нКл тип., 11 нКл макс. (VGS=-10 В, VDS=-15 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 3,2 Вт (TA=25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор BC327-25 , to92
Немає в наявності
18,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга Vceo | -45 В (база розімкнена, Ta 25 °C) |
| Напруга Vces | -50 В (E–B закорочений, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -800 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Ptot | 625 мВт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 160–400 (Vce -1 В, Ic -100 мА, Tj 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.7 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА, Tj 25 °C) |
| Гранична частота fT | 100 МГц типово (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 50 МГц, Tj 25 °C) |