Сімістори
Сімістор MAC97A8 (0,6A;600V,Igt=0.005A) , to92
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj -40…110 °C) |
| Струм It(rms) | 0.6 А (повна синусоїда 50–60 Гц, Tc 50 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 8 А (один повний період, Tc 110 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (VD 12 В, RL 100 Ом; T2–G+ – 7 мА) |
| Напруга керування Vgt | 2.0 В макс. (VD 12 В, RL 100 Ом, T2+G+; T2–G+ – 2.5 В) |
| Напруга Vtm | 1.9 В макс. (струм 0.85 А, імпульс 2 мс) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (VD 12 В, початковий струм 200 мА) |
| dV/dt | 25 В/мкс тип. (67 % Vdrm, Tc 110 °C) |
| Макс. температура переходу | 110 °C |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | HAOPIN MICROELECTRONICS |
Сімістор ST BTA16-600B оригінал( BTA16-600BW )(16A,600V,50mA), ТО220
В наявності
86,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Напруга Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 16 А (Tc 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 160 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм відкривання Igt | 50 мА макс. (чотири значення 50/50/50/70 мА, VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга Vtm | 1.5 В макс. (Itm 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 1200 В/мкс мін. (VD 400 В, Tj 125 °C) |
| Струм утримання Ih | 60 мА макс. (IT 200 мА, Tj 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2.0 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор T410-600T , TO220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (синус 50–60 Гц) |
| Струм It(rms) | 4.0 А (Tj 125 °C, повна синусоїда) |
| Імпульсний струм Itsm | 25/27 А (один період 50/60 Гц) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга Vtm | 1.7 В макс. (ITM 5.5 А, tp 380 мкс) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (It 0.1 А) |
| dV/dt | 20 В/мкс мін. (Tj 125 °C, 2/3 Vdrm) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор Z0107MA ( 0107MA ) ( 0107NA ) , to92
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Сімістор, чутливий затвор |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 1 А (макс.) |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.) |
| Температура Tj | -40…125 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор Z0109MA (1A;600V,Igt=0.01A) , to92
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj 25–125 °C) |
| Струм It(rms) | 1 А (Tlead 50 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 8 А (повна синусоїда, Tj 25 °C, t 20 мс) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс. (VD = VDRM, RL 3.3 кОм, Tj 125 °C) |
| Напруга Vt | 1.6 В макс. (Tj 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (IT 50 мА) |
| dV/dt | 50 В/мкс мін. (0.67 Vdrm, Tj 110 °C) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор Z0409MF ( ZO409MF ) , TO-202-3
В наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Сімістор 4Q |
| Струм IT(RMS) | 4 А (повна синусоїда) |
| Ударний струм ITSM | 20 А (50 Гц, t = 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування IGT | 10 мА макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування VGT | 1.3 В макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Струм утримання IH | 10 мА макс. (IT = 50 мА, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 100 В/мкс мін. (gate open, Tj = 110 °C) |
| Температура переходу Tj | -40…+125 °C |
| Корпус | TO-202-3 |
Сімістор Z0607MA (0.8A,600V,Igt=0,005A) , to92
В наявності
7,52 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 0.8 А (повна синусоїда, Tl 50 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 9 А (50 Гц, t 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (квадранти I–II–III, VD 12 В, RL 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс. |
| Напруга Vtm | 1.5 В макс. (ITM 1.1 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Макс. температура переходу | 110 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор Z3M ( Z0103MN ) оригінал (1A,600V,3mA) , sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Струм IT(RMS) | 1 А (SOT-223: Ttab = 90 °C, повна синусоїда) |
| Напруга VDRM/VRRM | 600 В (серія Z01: 600–800 В) |
| Ударний струм ITSM | 8 А (50 Гц, t = 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування IGT | 3 мА макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом, квадранти I–II–III; IV – 5 мА) |
| Напруга керування VGT | 1.3 В макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом) |
| Струм утримання IH | 7 мА макс. (IT = 50 мА) |
| Критична швидкість dV/dt | 10 В/мкс мін. (VD = 67 % VDRM, Tj = 110 °C) |
| Квадранти | 4Q (I–II–III–IV) |
| Температура переходу Tj | -40…+125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор Z7M ( Z0107MN , 107MN ) оригінал (1A;600V,Igt=5mA)( заміна для Z0107MN0, Z0107MNO , 107MNO , 107MN0 ), sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (повторювана імпульсна) |
| Струм It(rms) | 1 А |
| Струм керування Igt | 7 мА макс. (VD = 12 В, RL = 100 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 2 В макс. (квадранти I–III; 2.5 В для IV) |
| Спад напруги Vt | 1.65 В макс. (It = 1 А, tp = 380 мкс) |
| dV/dt | 50 В/мкс (VDM = 67 % Vdrm, Tj 125 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор Z9M ( Z0109MN, FT0109MN )(1A;600V,Igt=10mA) , sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vdrm | 600 В |
| It(RMS) | 1 А (Tsp ≤105 °C) |
| Itsm | 8/8,5 А (tp 20 мс/16,7 мс) |
| Igt | 10 мА (Tj 25 °C, 4 квадранти) |
| Vt | 1,3–1,6 В (IT 1,4 А, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | SOT-223 |
| Tj max | 125 °C |